最齊全的模擬電子技術(shù)基礎參考-資料下載頁
2025-01-01 14:27本頁面
【正文】 。 （ a. 摻雜濃度、 ）有關(guān)。 3. 當溫度升高時，少子的數(shù)量 。 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）abc 4. 在外加電壓的作用下， P 型半導體中的電流主要是 ， N 型半導體中的電流主要是 。 （ a. 電子電流、 ） ba思考題： PN結(jié)的電容效應 PN結(jié)具有一定的電容效應，它由兩方面的因素決定。 一是勢壘電容 CB 二是擴散電容 CD (1) 勢壘電容 CB 勢壘電容是由空間電荷區(qū)離子薄層形成的。當外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當 PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。勢壘電容的示意圖見圖 。圖 勢壘電容示意圖 擴散電容是由多子擴散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因 PN 結(jié)正偏時，由 N區(qū)擴散到 P 區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向 電流 。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。(2) 擴散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。擴散電容的示意圖如圖。 圖 擴散電容示意圖 當外加正向電壓不同時，擴散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不相同，這就相當電容的充放電過程。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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