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2025-01-01 14:27本頁面
【正文】 。 （ a. 摻雜濃度、 ）有關(guān)。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí)，少子的數(shù)量 。 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）abc 4. 在外加電壓的作用下， P 型半導(dǎo)體中的電流主要是 ， N 型半導(dǎo)體中的電流主要是 。 （ a. 電子電流、 ） ba思考題： PN結(jié)的電容效應(yīng) PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng)，它由兩方面的因素決定。 一是勢(shì)壘電容 CB 二是擴(kuò)散電容 CD (1) 勢(shì)壘電容 CB 勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。勢(shì)壘電容的示意圖見圖 。圖 勢(shì)壘電容示意圖 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因 PN 結(jié)正偏時(shí)，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P 區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向 電流 。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。(2) 擴(kuò)散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。擴(kuò)散電容的示意圖如圖。 圖 擴(kuò)散電容示意圖 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不相同，這就相當(dāng)電容的充放電過程。勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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