ht7托卡馬克歐姆放電時(shí)的電子熱輸運(yùn)分析-文庫吧資料
2025-01-02 19:29本頁面
【正文】 88 500 %前三炮為硅化前的放電，后面的均為幾次硅化后的放電。exp.)kAIneoIp(0)(ms)Shot自舉電流估算公式自舉電流估算公式（ 1）（ 2）（ 3）（ 4）（ 5）HT7裝置硅化前后自舉電流的研究裝置硅化前后自舉電流的研究? 硅化前后兩典型炮號(hào)的密度分布? 硅化前后兩典型炮號(hào)的溫度分布硅化前后兩典型炮號(hào)等離子體壓力分布硅化前后兩典型炮號(hào)等離子體壓力分布硅化前后兩典型炮號(hào)的自舉電流分布硅化前后兩典型炮號(hào)的自舉電流分布 jbso硅化前的情況+硅化后的情況 隨 ?p的增大，自舉電流的比例增大。 b.JET裝置上的測量電流與束驅(qū)動(dòng)電流的比較。b(a)僅有歐姆電流，(b)包括束電流加歐姆電流，(c)包括束電流、歐姆電流加自舉電流。HT7裝置硅化后自舉電流的研究其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證三、三、 HT－－ 7‘?’,‘o’為能量平衡分析得到的值，實(shí)線為 Waltz區(qū)域內(nèi)均比較符合 Horton電磁漂移波模型。r 區(qū)域， ~硅化后硅化后 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較在等離子體中心 電磁漂移波 ~在邊界比較符合 硅化前硅化前 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較等離子體中心比較符合Horton磁擾動(dòng)引起的不穩(wěn)定性比較大的徑向磁擾動(dòng)使磁場結(jié)構(gòu)的破壞，引起比較大的橫向輸運(yùn)；模式主要有：微撕裂模、電阻性壓強(qiáng)梯度模 (氣球模 )時(shí)電磁漂移波比較重要起來；如 Horton電磁漂移波模型一般地，當(dāng) ；包括通行粒子的漂移不穩(wěn)定性和捕獲粒子不穩(wěn)定性 漂移波不穩(wěn)定性反常輸運(yùn)目前提出的主要原因及模型反常輸運(yùn)目前提出的主要原因及模型估算的值 ） 為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的的值， o由 和和 能量約束時(shí)間能量約束時(shí)間 隨隨 定標(biāo) 的增大而降低的增大而降低?e與歐姆情況下的定標(biāo)比較與歐姆情況下的定標(biāo)比較? INTOR隨隨 隨隨 ?Ip的增大而增大的增大而增大?eBt=)?e(?Ne(0) (Ip=140kA,的增大而降低的增大而降低隨隨 ?e硼化前后硼化前后 ?e行為行為 的比較的比較硼化后， ?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 3））硅化硅化 前后前后 ?e行為的比較行為的比較硅化后 ,在同一炮放電的平頂段， ?e值也比較平穩(wěn)。a處約為 25％。時(shí)計(jì)算的結(jié)果。Zeff?100電子各能量損失項(xiàng)占總歐姆輸入功率比例電子各能量損失項(xiàng)占總歐姆輸入功率比例? 熱輸運(yùn)項(xiàng) (主要是傳導(dǎo)項(xiàng)）占 64％左右；? 輻射損失約占 20％；? 與離子碰撞轉(zhuǎn)移給離子的約 16％。o時(shí)刻為例(?Ne? 我們用雜質(zhì)輸運(yùn)程序擬合實(shí)驗(yàn)測量的雜質(zhì)離子體發(fā)射系數(shù)。 ? 一般認(rèn)為， De=Dim,*硼化后的值。o硅化后的值，? 隨放電電流的變化(）O硅化后 50炮以內(nèi)的值，Δ硅化后放電 250炮后的值，硅化前的值。Bt（ Ip=130KA,歐姆功率的計(jì)算歐姆功率的計(jì)算Zeff取常數(shù)。Vf由 4道韌致輻射測量；? IpECE測量；? ne由 5道遠(yuǎn)紅外干涉儀測量，經(jīng) Abel變換得到其分布；? Ti電子和離子碰撞頻率(1)(2)(3)(4)(5)能量平衡分析所需的實(shí)驗(yàn)診斷能量平衡分析所需的實(shí)驗(yàn)診斷? Te或新經(jīng)典電阻率? ?ei熱對(duì)流損失? Pei :輻射損失? Pcond : ? PoH :托卡馬克電子能量平衡分析托卡馬克電子能量平衡分析等離子體中心漲落被抑制。li 不清楚。H=磁場漲落降低高 li模 [94] H～ 3，有的 H
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