ht7托卡馬克歐姆放電時(shí)的電子熱輸運(yùn)分析-在線瀏覽
2025-01-30 19:29本頁(yè)面
【正文】 rshot[91] ?e,降低最多， H～ 2。VH－ mode[92] 邊界輸運(yùn)壘加寬， ?e,降低。高 ?modes[93] 高 ?mode： H～ 2－ 3高 ?＋ H－ mode:?反剪切模 (RS)[95] H～ 密度漲落抑制提高的反剪切模 (ERS)[96] 內(nèi)部輸運(yùn)壘的形成， ?i和 De是新經(jīng)典值， ?e降低。二、二、 HT7歐姆輸入功率? Prad :熱傳導(dǎo)損失? Pconv :電子轉(zhuǎn)移給離子的能量? ?： Spitzer:由 是 10道中性粒子能譜儀測(cè)量；分布認(rèn)為與 Te相同；? 輻射損失用 16道 Bolometer測(cè)量，經(jīng) Abel變換得到其分布；? Zeff和 用線圈測(cè)量；? 雜質(zhì)的弦平均輻射強(qiáng)度由轉(zhuǎn)鏡測(cè)量，經(jīng) Abel變換得到其體發(fā)射系數(shù)分布。輻射損失輻射損失 隨等離子體中心弦平均密隨等離子體中心弦平均密度、電流的變化度、電流的變化? 隨密度的變化= Bt=） ve=vim。熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 1））以典型炮號(hào) 34258的 (0)＝ ?1013/cm3， Ip=140kA）熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 2）－擬合結(jié)果）－擬合結(jié)果擬合 OV體發(fā)射系數(shù)的峰值擬合 CIII體發(fā)射系數(shù)的峰值熱對(duì)流損失計(jì)算（熱對(duì)流損失計(jì)算（ 3））+PoHPconv?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 1））? 假設(shè)環(huán)電壓 5％的誤差， 有 20％的誤差，密度有 10％的誤差，溫度有 10％的誤差 其中 1/2? 通過(guò)改變各參量誤差大小，結(jié)果發(fā)現(xiàn) ?e對(duì)電子溫度的誤差最敏感。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 2））不同的離子溫度分布對(duì) ?e的分布影響不大。?e主要在r。?e在整個(gè)等離子體內(nèi)均降低。(r=)?Ne(0)Bt=)=,(r=)(r=)Bt定標(biāo)? Merezhkin? CoppiMazzucato定標(biāo) ?Ne(0)Ip的變化的變化能量約束時(shí)間實(shí)驗(yàn)值與忽略輻射損失后由經(jīng)驗(yàn)公式估算值的比較 。（ ??e與新經(jīng)典理論模型的比較與新經(jīng)典理論模型的比較靜電漂移波模型在低 ?條件下，磁場(chǎng)擾動(dòng) B1～ 0，這時(shí)的漂移波是靜電型 電磁漂移波模型， Parail電磁漂移波模型等。等。電磁漂移波模型：?eParail模型：?e仍然比較符合 Horton模；在 rWaltz 靜電漂移波比較符合實(shí)驗(yàn)值。?e~硼化后硼化后 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較在 a硅化后硅化后 ?e實(shí)驗(yàn)值與實(shí)驗(yàn)值與 Waltz 模型得到的值模型得到的值 隨密隨密度、電流變化比較度、電流變化比較符號(hào) 模型計(jì)算得到的值 托卡馬克等離子體中自托卡馬克等離子體中自舉電流的研究舉電流的研究有關(guān)自舉電流從以下幾點(diǎn)來(lái)討論：自舉電流的估算公式HT7裝置硼化后自舉電流的研究其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)證實(shí)其它裝置上自舉電流的實(shí)驗(yàn)證實(shí)TFTR在高 ?p值放電時(shí)等離子體表面環(huán)電壓隨時(shí)間的變化與 TRANSP程序預(yù)言的值的比較。 a a.測(cè)量的電流與束驅(qū)動(dòng)電流加自舉電流后的比較。小逆環(huán)徑比的 ETE托卡馬克裝置上的自舉電流占總電流的比例隨 ?p值的變化 硅化前后兩典型炮號(hào)自舉電流占總電流比硅化前后兩典型炮號(hào)自舉電流占總電流比例的分布例的分布硅化前后自舉電流的研究情況硅化前后自舉電流的研究情況No. Time?Ne(1013) (by（ kA) Ibs=IpIneo硼化前后自舉電流的研究硼化前后自舉電流的研究? 硼化前后兩典型炮號(hào)（ 29468＃， 30448）密度、溫度分布硼化前后等離子體壓力的
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