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集成電路封裝技術(shù)-文庫吧資料

2025-08-07 17:54本頁面
  

【正文】 主要按基板材料來分: 有機(jī)基板( PCB)、 陶瓷基板、載帶基板、 金屬引線框架等 同一類基板,又可分: 芯片面向上, WB(引線鍵合)內(nèi)互連; 芯片面向下 FC(倒裝芯片)內(nèi)互連 67 68 幾種典型的芯片尺寸封裝 69 圖 18 CSP的主要類型 70 主要產(chǎn)品為塑封有機(jī)基板 剛性基板上粘片 撓性基板上粘片 引線框架 圓片級封裝 ( 金凸點或焊料凸點 ) CSP可分為 71 72 73 圖 18 幾類芯片尺寸封裝結(jié)構(gòu)示意圖 74 3. JEDEC中的 CSP標(biāo)準(zhǔn) ① 已有 14個,比 BGA( 8個)多,名稱上采用了“窄節(jié)距” “焊球陣列” FBGA,薄型、超薄型、小尺寸、窄節(jié)距 BGA和薄、超小型“無引線封裝” SON( 4個)。 外引腳都在封裝體的下面,但可為:焊球、焊凸點、 焊盤、框架引線,品種形式已有 50種以上。 它不是以結(jié)構(gòu)形式來定義的封裝。 1. 定義: IC封裝所占 PCB面積 ≤(或 2倍) 芯片面積的多種封裝形式的統(tǒng)稱。 各種小型或超小型 BGA則屬 CSP。 54 2. BGA的分類:(按基板和封裝外形) 多層陶瓷基板( CBGA):帶蓋板密封型,或點膠密封, 倒裝焊裸芯片,非密封型; 有機(jī)基板 BGA:多層 PCB基板、模塑包封 BGA- PBGA, 多層載帶基板、金屬蓋板 BGA- TBGA; 金屬基板 BGA: MBGA,采用表面陽極氧化鋁基板, 單層或雙層薄膜金屬實現(xiàn)封裝內(nèi)互連。 經(jīng)過模塑料及工藝的改進(jìn),塑封電路的可靠性已可達(dá)到部 分軍品的要求。 優(yōu)點: ① 材料品種少:引線框架 + 模塑料等 成本低廉, ② 加工簡便:一次模塑成型 只氣密封裝的 ③ 生產(chǎn)效率高,適合于自動化大生產(chǎn): 1/3~ 1/5 一次注模成型即可封幾百個、上千個 ④ 重量輕、體積小,有利于小型化和 SMT 44 ⑤ 抗輻射性能好,本身放射性少:適合于于封 VLSI存儲器 ⑥ 塑料殼體抗化學(xué)腐蝕能力強(qiáng),絕緣性能好。 表 4. 各類封裝在封裝總量中所占的份額( %) DIP SOP QFP BGA CSP 其他 1996年 28 47 13 1 1 12 1998年 15 57 12 1 1 12 2022年 12 56 12 1 7 7 41 表 5. 集成電路封裝引出端數(shù)的分布范圍 引線數(shù)范圍 ≤33 33~ 100 101~ 308 ≥308 1997年(估算值) 76% 18% 5% 1% 2022年(預(yù)測值) 68% 20% 10% 2% 42 四、集成電路的基本組(封)裝工藝 不同的封裝使用的封裝工藝是不同的: 金屬封裝 陶瓷封裝 塑料封裝: 引線框架式封裝 PCB基板 PBGA: WB (引線鍵合) FC (倒裝芯片) 載帶: TAB(載帶自動焊) 圓片級封裝 WLP DIP、 SOP、 QFP、 PLCC等主要都是塑料封裝。 最小的 8引線封裝 US8,內(nèi)裝 3個緩沖反相器。 31 圖 6 單芯片封裝向多芯片封裝的演變 32 表 1.硅片封裝效率的提高 年代 1970 1980 1990 1993 封裝年代 DIP PQFP BGA/CSP DCA/CSP 封裝效率 Sd/Sp (2~7)% (10~30)% (20~80)% (50~90)% 33 表 2.封裝厚度的變化 封裝形式 PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP 封裝厚度 (mm) ~ ~ ~ 34 表 3.引線節(jié)距縮小的趨勢 年份 1980 1985 1990 1995 2022 典型封裝 DIP,PGA SDIP,PLCC,BGA QFP QFP,CSP CSP,DCA 典型引線節(jié)距 (mm) ~ 35 圖 7 引線節(jié)距的發(fā)展趨勢 36 P Q F PP D I PT Q F PT S O PU T Q F PU T S O P 2 . 0m m 1 . 0m m 0 . 5m m封裝厚度圖 8 封裝厚度比較 37 除非裸芯片,很難使封裝體厚度 tp小于 。 這樣使單位封裝體積的硅密度和引線密度都大大提高。 △ 微電子封裝和 PCB板之間的互連: 已由通孔插裝 (PTH)為主轉(zhuǎn)為表面安裝( SMT)為主。 再逐個封裝成器件,到在圓片上完成封裝劃片后 就成器件。 2022年和 2022年的增長率都較小。 22 ③ 按引線形狀 無引線:焊點、焊盤 有引線: TH
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