電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答-文庫吧資料
2025-07-31 12:13本頁面
【正文】 D=Kn(UGSUth)2 9= Kn (4－2)2 ∴Kn = UGSQ=3V IDQ=(3－2)2 ∴IDQ= → UDSQ=12－5=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于可變電阻區(qū)(d) UDSQ=12－3=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于恒流區(qū) ，忽略不計(jì)，電容對(duì)交流視為短路。Rs ∴Rs=10kΩ ，已知FET的Uth = 3V、Kn = ?，F(xiàn)要求該電路中FET的VDQ = 、IDQ = ，試求：(1) 管子的Kn和Uth的值；(2) Rd和RS的值應(yīng)各取多大？解：（1）ID=Kn(UGSUth)2= Kn(5UTh)2 = Kn(3Uth)2 → Uth1=(V) (不合理，舍去)，Uth2=2(V)求得：Kn=，Uth=2V（2）VDQ=VDDIDQ解： ，已知|IDSS| = 8mA。共漏，可增加Rd，并改為共源放大，將管子改為耗盡型，改電源極性。解：。 (1) UP = －6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(2) UT = 8V，K = 。(1)
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