【摘要】《模擬電子技術基礎》典型習題解答半導體器件的基礎知識1,已知ui=5sinωt(V),二極管導通電壓UD=。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。????????&
2025-06-06 18:04
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3
2024-11-02 19:21
【摘要】習題6確定圖中晶體管其它兩個電流的值(a)IC=βIB=200×=25(mA)IE=IB+IC=(mA)(b)IB=IE/(1+β)=5/(1+100)=(μA)IC=IE-IB=(mA)(c)IB=IC/β=3/120=25(μA)IE=IB+IC=(mA)測得放大電路中的晶體三極管3個電極①、②、③,試判
2024-08-24 05:36
【摘要】模擬電子技術基礎自測題與習題解答第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電
【摘要】第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子
2025-03-31 04:55
【摘要】第2章一階動態(tài)電路的暫態(tài)分析習題解答。解電流源電流為分段計算電容電壓期間時,期間s時,時瞬時功率為 電容的儲能為(a)中,電感,電流波形如圖(b)所示,求電壓、時電感吸收功率及儲存的能量。解(b)可寫出電流的函數(shù)時 ,已知,,,求時
2025-03-31 06:24
【摘要】電路與模擬電子技術基礎·224·第9章負反饋放大電路習題9什么叫反饋?反饋有哪幾種類型?解:在電子系統(tǒng)中,將輸出回路的輸出量(輸出電壓或電流)通過一定形式的電路網(wǎng)絡,部分或全部饋送到輸入回路中,并能夠影響其輸入量(輸入電壓或電流),這種電壓或電流的回送過程稱為反饋。負反饋可分為4種類型
2024-11-15 18:22
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40V時
2025-06-06 18:18
【摘要】第1章習題1-1判斷題1.電荷的定向移動形成電流。(√)2.直流電路中,電流總是從高電位流向低電位。(√)3.電阻的體積越大,其額定的耗散功率越大。(√)4.電阻的額定功率越大,它消耗的電能就越大。(×)5.電阻串聯(lián)時,各電阻上消耗的功率與其電阻的阻值成反比。(×)6.電流表必須串
2025-03-31 06:17
【摘要】《電力電子技術》(??频诙?習題解答第1章思考題與習題?導通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定,負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關
2025-03-31 06:06
【摘要】模擬電子技術基礎第四版清華大學電子學教研組編童詩白華成英主編自測題與習題解答2第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻
2024-11-14 01:14
【摘要】電工與電子技術習題(下)解答1-1答:輸出電壓波形如圖1-1所示。1-2答:輸出電壓波形如圖1-2所示。圖1-2題1-2波形圖圖1-1題1-1波形圖1-3答:D1導通,D2截止,V。圖1-3題1-4波形圖1-4答:輸出電壓波形如圖1-3所示。1-5答:飽和狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏
2025-03-31 06:16
【摘要】《電工與電子技術》習題與解答第二章:正弦交流電路、第三章:三相交流電路一、單項選擇題*1.R、L串聯(lián)的正弦交流電路如題1圖所示,若uR=5sin(ωt+10°)V,uL=5sin(ωt+100°)V,則總電壓u為(B)。(ωt+45°)V(ωt+55°)V(ωt+110°)V(ωt+
【摘要】第一章思考題與習題解答1-1名詞解釋半導體、載流子、空穴、自由電子、本征半導體、雜質(zhì)半導體、N型半導體、P型半導體、PN結(jié)。解半導體——導電能力介乎于導體與絕緣體之間的一種物質(zhì)。例如硅(Si)和鍺(Ge),這兩種半導體材料經(jīng)常用來做晶體管。載流子——運載電流的粒子。在導體中的載流子就是自由電子;半導體中的載流子有兩種,就是自由電子與空穴,它們都能參加導電。空穴——
【摘要】經(jīng)典資料,WORD文檔,可編輯修改,歡迎下載交流。經(jīng)典資料,WORD文檔,可編輯修改,歡迎下載交流。2第四版清華大學電子學教研組編童詩白華成英主編自測題與習題解
2024-11-15 20:07