電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答-免費(fèi)閱讀
【正文】 解：(1) (2) (3) ， ，已知，流過(guò)負(fù)載電阻的電流為?？鐚?dǎo)為。 ，MOSFET的Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值。 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = －8V。(1) 此元件是P溝道還是N溝道？(2) 計(jì)算UGS = －3V是的ID；(3) 計(jì)算UGS = 3V時(shí)的ID。解： ，已知|IDSS| = 8mA。（1）畫出電路的交流小信號(hào)等效電路；（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；（3）求輸入電阻和輸出電阻。求：（1）負(fù)載上所能得到的功率；（2）電源供給的功率。解： ，已知，為正弦波，輸入電壓足夠大，在忽略晶體管飽和壓降UCES的情況下，試求：（1）最大輸出功率；（2）晶體管的最大管耗；（3）若晶體管飽和壓降，最大輸出功率和。請(qǐng)分析這四個(gè)電路中的場(chǎng)效應(yīng)管各工作在什么狀態(tài)(截止、恒流、可變電阻、擊穿)？ 解：(a) 截止 (b) UDSQ=20VU(BR)DS，擊穿(c) ID=Kn(UGSUth)2 9= Kn (4－2)2 ∴Kn
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