電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答(專業(yè)版)
【正文】 求：（1）在晶體管的飽和壓降UCES可以忽略的情況下，負(fù)載上可以得到的最大輸出功率；（2）每個(gè)晶體管的耐壓|U(BR)CEO|應(yīng)大于多少；（3）這種電路會(huì)產(chǎn)生何種失真，為改善上述失真，應(yīng)在電路中采取什么措施。解：(1) (2) 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出4種類型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。解：。解：(1) ，(2) (3) 會(huì)產(chǎn)生交越失真，工作于甲乙類工作狀態(tài)可以消除這種失真。 解：Ri=Rg2//Rg1=2//=(MΩ)Ro=Rs//=3//=429(Ω) 由于功率放大電路中的晶體管常處于接近極限工作的狀態(tài)，因此，在選擇晶體管時(shí)必須特別注意哪3個(gè)參數(shù)？解：最大集電極電流ICM 、最大集電結(jié)耗散功率PCM 和反向擊穿電壓U(BR)CEO ，設(shè)，為正弦波。 (1) UP = －6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(2) UT = 8V，K = 。解： (a) 能放大 (b) 不能放大，增強(qiáng)型不能用自給偏壓 (c) 能放大（d）不能放大，增強(qiáng)型不能用自給偏壓。
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