電工學(下冊)電子技術基礎-第4章-習題解答(編輯修改稿)
2025-08-21 12:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 3V、Kn = ?，F(xiàn)要求該電路中FET的IDQ = ，試求Rd的值應為多大？ 解：=(UGSQ－3)2 ∴UGSQ1=7(V) UGSQ2=－1(V)(不合理，舍去)UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=15－Rd ∴Rd=5kΩ ，已知場效應管VT的Uth = 2V，U(BR)DS = 16V、U(BR)GS = 30V，當UGS = 4V、UDS = 5V時的ID = 9mA。請分析這四個電路中的場效應管各工作在什么狀態(tài)(截止、恒流、可變電阻、擊穿)？ 解：(a) 截止 (b) UDSQ=20VU(BR)DS，擊穿(c) ID=Kn(UGSUth)2 9= Kn (4－2)2 ∴Kn = UGSQ=3V IDQ=(3－2)2 ∴IDQ= → UDSQ=12－5=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于可變電阻區(qū)(d) UDSQ=12－3=(V)UGSQ－Uth =1V ∴處于恒流區(qū) ，忽略不計，電容對交流視為短路。跨導為。（1）畫出電路的交流小
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