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電工學(xué)(下冊)電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答-預(yù)覽頁

2025-08-18 12:13 上一頁面

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【正文】 (2) 計(jì)算UGS = -3V是的ID;(3) 計(jì)算UGS = 3V時的ID。第4章 場效應(yīng)管放大電路與功率放大電路 ,請分別說明場效應(yīng)管各屬于何種類型。 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = -8V。解:(1) (2) 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出4種類型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性示意圖,并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。 ,MOSFET的Uth = 2V,Kn = 50mA/V2,確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值。Rd =12- →Rd=15kΩ →UGSQ1=(V)(不合理,舍去) UGSQ2=(V)UGSQ=10-跨導(dǎo)為。求:(1)在晶體管的飽和壓降UCES可以忽略的情況下,負(fù)載上可以得到的最大輸出功率;(2)每個晶體管的耐壓|U(BR)CEO|應(yīng)大于多少;(3)這種電路會產(chǎn)生何種失真,為改善上述失真,應(yīng)在電路中采取什么措施。解:(1) (2) (3) , ,已知,流過負(fù)載電阻的電流為。 解:(a) 相當(dāng)于NPN(b) 相當(dāng)于PNP
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