電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答(更新版)
【正文】 擊穿電壓U(BR)CEO ，設(shè)，為正弦波。(1) 求靜態(tài)時(shí)，復(fù)合管的IC、IB、UCE；(2) 說明復(fù)合管屬于何種類型的三極管；(3) 求復(fù)合管的β。解：(1) ，(2) (3) 會(huì)產(chǎn)生交越失真，工作于甲乙類工作狀態(tài)可以消除這種失真。Rs ∴Rs=10kΩ ，已知FET的Uth = 3V、Kn = 。解：。第4章 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路與功率放大電路 ，請(qǐng)分別說明場(chǎng)效應(yīng)管各屬于何種類型。解：(1) (2) 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出4種類型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。Rd =12－ →Rd=15kΩ →UGSQ1=(V)(不合理，舍去) UGSQ2=(V)UGSQ=10－求：（1）在晶體管的飽和壓降UCES可以忽略的情況下，負(fù)載上可以得到的最大輸出功率；（2）每個(gè)晶體管的耐壓|U(BR)CEO|應(yīng)大于多少；（3）這種電路會(huì)產(chǎn)生何種失真，為改善上述失真，應(yīng)在電路中采取什么措施。 解：(a) 相當(dāng)于NPN(b) 相當(dāng)于PNP
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1