電工學(xué)(下冊(cè))電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答(留存版)
【正文】 ，設(shè)，C的電容量很大，為正弦波，在忽略晶體管飽和壓降UCES的情況下，試求該電路的最大輸出功率。 解：(2) Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+(MΩ) Ro=Rd=10kΩ(3) ，已知FET在Q點(diǎn)處的跨導(dǎo)gm = 2mS，λ=0，試求該電路的、Ri、Ro的值。解：(1) N溝道；(2) (3) 畫出下列FET的轉(zhuǎn)移特性曲線。共漏，可增加Rd，并改為共源放大，將管子改為耗盡型，改電源極性。解： ，已知，為正弦波，輸入電壓足夠大，在忽略晶體管飽和壓降UCES的情況下，試求：（1）最大輸出功率；（2）晶體管的最大管耗；（3）若晶體管飽和壓降，最大輸出功率和。（1）畫出電路的交流小信號(hào)等效電路；（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；（3）求輸入電阻和輸出電阻。(1) 此元件是P溝道還是N溝道？(2) 計(jì)算UGS = －3V是的ID；(3) 計(jì)算UGS = 3V時(shí)的ID。 ，MOSFET的Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，確定電路Q點(diǎn)的IDQ和UDSQ值。解
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