電工學(xué)(下冊)電子技術(shù)基礎(chǔ)-第4章-習(xí)題解答-全文預(yù)覽
【正文】 //Rg1=2//=(MΩ)Ro=Rs//=3//=429(Ω) 由于功率放大電路中的晶體管常處于接近極限工作的狀態(tài)，因此，在選擇晶體管時(shí)必須特別注意哪3個(gè)參數(shù)？解：最大集電極電流ICM 、最大集電結(jié)耗散功率PCM 和反向擊穿電壓U(BR)CEO ，設(shè)，為正弦波。解： ，已知，為正弦波，輸入電壓足夠大，在忽略晶體管飽和壓降UCES的情況下，試求：（1）最大輸出功率；（2）晶體管的最大管耗；（3）若晶體管飽和壓降，最大輸出功率和。(1) 求靜態(tài)時(shí)，復(fù)合管的IC、IB、UCE；(2) 說明復(fù)合管屬于何種類型的三極管；(3) 求復(fù)合管的β。求：（1）負(fù)載上所能得到的功率；（2）電源供給的功率。解：(1) ，(2) (3) 會產(chǎn)生交越失真，工作于甲乙類工作狀態(tài)可以消除這種失真。（1）畫出電路的交流小信號等效電路；（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；（3）求輸入電阻和輸出電阻。Rs ∴Rs=10kΩ ，已知FET的Uth = 3V、Kn = 。解： ，已知|IDSS| = 8mA。解：。(1) 此元件是P溝道還是N溝道？
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