英飛凌各代igbt模塊技術詳解-文庫吧資料
2025-07-21 03:05本頁面
【正文】 GBT，采用了溝槽柵及電場終止層（FS）兩種新技術，帶來了 IGBT 芯 片 厚 度 大 大 減 薄 。在開關頻率 fK ≥8KHz 應用中，“KT3”比 “KE3”開關損耗降低 20％左右。在“KE3”的基礎上，采用 淺溝槽和優(yōu)化“FS”層離子注入濃度、厚度以及集電區(qū)摻雜濃度等，又開發(fā)出高頻系列，以 后綴“KT3”為標志。1200V IGBT 飽和壓降 VCE(sat)＝，最適合于變頻器應用。EUPEC 第三代 IGBT 有兩種系列。由于仍然是在區(qū)熔 單晶硅中（沒有外延）制作 FS 層，需進行離子雙注入，又要確保飽和壓降的正溫度系數(shù)，工 藝難度較大。電場終止層（Field Stop）技術是吸收了 PT、NPT 兩類器件的優(yōu)點。這樣 IGBT 通態(tài)壓降 中剔除了 JFET 這部分串聯(lián)電阻的貢獻，通態(tài)壓降可大大降低?？?之，EUPEC IGBT 模塊中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工藝，平面柵結構，是第二 代 NPTIGBT。在這些應用領域，將逐步取代“DN2”系 列?！癒S4”系列是在“DN2”的基礎上，開關頻率得到進一步提高， 最佳使用開關頻率為 15KHz－30KHz。 “DLC”系列是適用于變頻器等頻率較低的應用場合。西門子在“DN2”系列的基礎上通過優(yōu)化工藝，開發(fā)出“DLC”系列。 “DN2”系列最佳適用頻率為 15KHz－20KHz，飽和壓降 VCE(sat)=。圖 NPTIGBT 結構圖西門子／EUPEC IGBT2 最典型的代表是后綴為“DN2”系列。1995 年，西門子率先不用外延工藝，采用區(qū)熔單晶硅 批量生產 NPT－IGBT 產品。二、IGBT2－第二代平面柵 NPTIGBT西門子公司經(jīng)過了潛心研究，于 1989 年在 IEEE 功率電子專家會議（PES
黨政相關相關推薦
鄂ICP備17016276號-1