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正文內(nèi)容

igbt模塊使用上的注意事項(xiàng)-文庫(kù)吧資料

2024-09-13 07:18本頁面
  

【正文】 指定電壓時(shí),集電極、門極間的電容 接通時(shí)間 ton IGBT 接通時(shí),門極、發(fā)射極間電壓上升至 OV 時(shí)開始至集電極、發(fā)射極電壓下降到 10%為止的時(shí)間 上升時(shí)間 t2 IGBT 接通時(shí),集電極電流上升到 10%,開始至集電極、發(fā)射極間電壓下降到 10%時(shí)為止的時(shí)間 關(guān)斷時(shí)間 tf IGBT 關(guān)斷時(shí),門極、發(fā)射極間電壓下降到 90%時(shí), 開始至集電極、電流下降到 10%時(shí)為止的時(shí)間 下降時(shí)間 toff 集電極電流從 90%下降到 10%時(shí)為止的時(shí)間 二極管正間電壓 V F 內(nèi)藏二極管流有指定正向電流時(shí)的正間電壓 逆向恢復(fù)時(shí)間 tis 內(nèi)藏二極管逆向恢復(fù)電流消失時(shí)為止所需要的時(shí)間 逆向恢復(fù)電流 lus 內(nèi)藏二極管正向電流切斷時(shí),在反方向流的電流峰值 熱電阻 Rth(1c) IGBT 或內(nèi)藏二極管的蕊片,封盒間熱電阻 R th(c3) 采用熱復(fù)合物并用推薦的力矩值固定元件與冷卻體時(shí)封盒、冷卻體間的熱電阻 門電阻 R c 門串接電阻值( 推薦值在開關(guān)時(shí)間測(cè)定條件中記述) 門極充電電量 Qg 為使 IGBT 導(dǎo)通,在門極上所充電的電量 開關(guān)偏置安全工作范圍 RBSOA 關(guān)斷時(shí),往指定的條件下,可以切斷 IGBT 時(shí)的電流,電壓范圍 封殼溫度 Tc IGBT 封盒溫度 。 3. 開、關(guān)時(shí)的浪涌電壓等的測(cè)定,請(qǐng)?jiān)诙俗犹帨y(cè)定。 2. 在模塊端子處測(cè)定驅(qū)動(dòng)電壓是否為符合要求的電壓值。 b. 用包裝箱運(yùn)輸大量器件時(shí),請(qǐng)勿擦傷接觸電極面,部件間應(yīng)填充軟性材料。 f. 裝部件的容器,請(qǐng)選用不帶靜電的容器。 e. 外部端子,請(qǐng)?jiān)谖醇庸さ臓顟B(tài)下保管。 c. 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所裝置表面含有結(jié)露水的情況出現(xiàn),應(yīng)避開這種場(chǎng)所,盡量放在溫度變化小的地方。特別是模塊化的功率半導(dǎo)體管 的場(chǎng)合,在冬天特別干燥的地區(qū),需用加濕機(jī)加濕。 9. 保管及運(yùn)輸時(shí)的注意事項(xiàng) 1. 保管 a. 保存半導(dǎo)體原件的場(chǎng)所的溫度,溫度,應(yīng)
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