實(shí)習(xí)報(bào)告集成電路版圖工程師崗位的實(shí)習(xí)報(bào)告-文庫(kù)吧資料
2024-11-16 03:42本頁(yè)面
【正文】 盡量將金屬線走線走寬一些，并且可以采用多條供電線的方案將電流分配到每一個(gè)修調(diào)電阻中。 該電路中由于每一個(gè)子模塊之間的連線比較繁瑣，所以在相應(yīng)的版圖設(shè)計(jì)時(shí)采用了由輸出和輸入兩個(gè)方向同時(shí)進(jìn)行器件擺放的設(shè)計(jì)方法，這樣的好處是在于更加清晰地分析版圖的走線方式，并且可以盡量的少走一些第二層鋁線，使得版圖顯得更加緊湊，同時(shí)也為以后修改版圖中一些器件的尺寸留出了一定的余度。 每個(gè)模塊之間的連接關(guān)系一般都采用了第二層鋁線，并且將所有模塊的襯底接觸、阱接觸連在一起，將所有電源線和地線分別連接在一 起，各自引出一個(gè)端頭。將之前的子模塊分別并接在一起，按照電路設(shè)計(jì)者的要求，將數(shù)字模塊 35 的合成模塊放在版圖的最上面， SLATCH 合成模塊放在第二排，數(shù)字模塊 1 的合成模塊放在第三排，數(shù)字模塊 68 的合成模塊放在第四排，數(shù)字模塊 9的合成模塊放在最底層。并且考慮到是整體數(shù)字模塊的合成圖，所以明確的分隔開(kāi)有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)，根據(jù) XFAB 的工藝，將會(huì)采用 LOCOS 工藝進(jìn)行相應(yīng)的隔離（縱然 LOCOS 工藝存在有鳥(niǎo)嘴效應(yīng)）。 5. 金屬層選擇分析 由于是數(shù)字單元，且采用的是 的工藝，所以不需要過(guò)多的考慮寄生效應(yīng)，走線以第一層鋁線為主，跨線時(shí)采用第二層鋁線，電 阻之間的走線采用第三冊(cè)鋁線，以便于以后的修調(diào)工作。 4. 這個(gè)電路的器件擺放分析 根據(jù)與電路設(shè)計(jì)者的交流，得知該電路的器件最好按照條形布局（即按照類似于一個(gè)單元格的形式）進(jìn)行設(shè)計(jì)。 2. 這個(gè)電路的電流分析 根據(jù)電路設(shè)計(jì)者的要求，需要將整體電路的全局電源線 和地線的走線稍微寬一些，一般控制在 12um 左右，其余的內(nèi)部連線一般控制在 左右。 數(shù)字模塊 8的版圖 根據(jù)之前對(duì) 數(shù)字模塊 8的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 整體數(shù)字模塊版圖設(shè)計(jì)分析 整體數(shù)字模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路是將之前的數(shù)字模塊拼接起來(lái)的，而每一個(gè)模塊又是將之前的每一個(gè)子模塊拼接起來(lái)的。 該電路中由于每一個(gè)子模塊之間的連線比較繁瑣，所以在相應(yīng)的版圖設(shè)計(jì)時(shí)采用了由輸出和輸入兩個(gè)方向同時(shí)進(jìn)行器件擺放的設(shè)計(jì)方法，這樣的好處是在于更加清晰地分析版圖的走線方式，并且可以盡量的少走一些第二層鋁線，使得版圖顯得更加緊湊，同時(shí)也為以后修改版圖中一些器件的尺寸留出了一定的余度。 針對(duì)于其中二輸入的與非門(mén)、三輸入的同或門(mén)，我采用共源共漏的方式擺放相應(yīng)的晶體管。由于最后需要將 12 個(gè)類似的單元模塊并結(jié)到一起，所以在設(shè)計(jì)電源線和地線的布局時(shí)，采用的是該電路左半部分為電源線走線，右半部分為地線的走線，這樣設(shè)計(jì)的目的同樣也是在分析了PAD 的布局以后得出的。 6. 隔離需求分析 由于是數(shù)字單元，且根據(jù) XFAB 的工藝特點(diǎn)，選擇了常見(jiàn)的 PN 結(jié)隔離方式隔離 NMOS與 PMOS 器件。采用單元格上方為輸出，下方為輸入的形式。（選擇理由仍舊參照了設(shè)計(jì)規(guī)則的要求） 3. 這個(gè)電路中匹配的分析 由于該電路是數(shù)字電路，對(duì)匹配沒(méi)有特殊的要求，只需要比較對(duì)稱的放置各個(gè)晶體管即可。 根據(jù)版圖設(shè)計(jì)的順序，對(duì)該電路進(jìn)行了如下的分析： 1. 這個(gè)電路功能分析 這是一個(gè)數(shù)字電路，用來(lái)實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的組合邏輯和時(shí)序邏輯。 為了使得以后在合圖的過(guò)程之中減少工作量，在與電路設(shè)計(jì)者交涉以后，對(duì)每一個(gè)輸入和輸出端口都進(jìn)行了命名，以便于以后合圖是通過(guò)端口名稱直接對(duì)應(yīng)連接。 針對(duì)于其中二輸入的與 非門(mén)、三輸入的同或門(mén)，我們采用共源共漏的方式擺放相應(yīng)的晶體管。以獨(dú)立成阱的形式存在于版圖之中。 可以很明確的看到，電路中存在一個(gè)寬長(zhǎng)比很大的 PMOS 管以及一個(gè) 10K 的電阻。由于最后需要將16 個(gè)類似的單元模塊并結(jié)到一起，所以在設(shè)計(jì)電源線和地線的布局時(shí)，采用的是該電路左半部分為電源線走線，右半部分為地線的走線，這樣設(shè)計(jì)的目的同時(shí)也是在分析了 PAD 的布局以后得出的。 注 ： XFAB 的設(shè)計(jì)規(guī)則（部分） Minimum metal2 width Minimum metal2 spacing/notch Minimum metal2 spacing to wide_metal3 6. 隔離需求分析 由于是數(shù)字單元，且根據(jù) XFAB 的工藝特點(diǎn)，選 擇了常見(jiàn)的 PN 結(jié)隔離方式隔離 NMOS與 PMOS 器件。采用單元格上方為輸出，下方為輸入的形式。 Minimum metal1 enclosure of contact Minimum metal1 enclosure of via Minimum metal2 enclosure of via 3. 這個(gè)電路中匹配的分析 由于該電路是數(shù)字電路，對(duì)匹配沒(méi)有特殊的要求，只需要比較對(duì)稱的放置各個(gè)晶體管即可。 注： XFAB 的設(shè)計(jì)規(guī)則（部分） metal1 metal2 contact 178。 根據(jù)版圖設(shè)計(jì)的順序，對(duì)該電路進(jìn)行了如下的分析： 1. 這個(gè)電路功能分析 這是一個(gè)數(shù)字電路，用來(lái)實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的組合邏輯和時(shí)序邏輯。 二、實(shí)習(xí)內(nèi)容及過(guò)程 在成都華微電子系統(tǒng)有限公司實(shí)習(xí)的三個(gè)月以來(lái)的實(shí)習(xí)，比較成功的設(shè)計(jì)出了 16 位漸進(jìn)型模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路中的邏 輯模塊的版圖、帶隙基準(zhǔn)電流源模塊的版圖和 ESD 電路模塊的版圖，以下便針對(duì)每一個(gè)模塊的設(shè)計(jì)過(guò)程和最終結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)的闡述。與此同時(shí)，對(duì)寄生參數(shù)的提取也是驗(yàn)證中的重要組成部分，其目的是為了對(duì)芯片的可靠性作出一個(gè)良好的預(yù)估 7. 跟蹤流片，以及芯片測(cè)試 將通過(guò)驗(yàn)證后的集成電路版圖送至相應(yīng)的工藝廠商進(jìn)行流片，跟蹤流片過(guò)程，在某些必要的時(shí)候可以終止某些制造步驟。這些額外的添加的檢查語(yǔ)句可以使得最終設(shè)計(jì)出來(lái)的版圖具有更高的可靠性。 5. DRC， LVS 文件與設(shè)計(jì)規(guī)則文件一致性檢查 將工藝廠商提供的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則文件與 mand
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