【摘要】《電工電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-13 05:29
【摘要】《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(),等效成一條直線;當其反偏時,結電阻為(),等效成斷開;
2025-03-31 04:55
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導體叫()。摻入3價雜質元素形成的半導體叫(),它主要靠導電()。A.空穴B.本征半導體C.P型半導體D.自由電子2.PN結正偏時,多子的()運動較強,PN結變薄,結電阻較()。A.擴散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-29 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進制數(shù)97,對應的十進制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項。4、基本邏輯運算有:與、或和非運算。5、兩二進制數(shù)相加時,不考慮低位的進位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內。(1)該電路的
2025-07-04 20:13
【摘要】1《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(),
2024-11-01 11:04
【摘要】模擬電子技術試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導體電子濃度()空穴濃度;N型半導體的電子濃度()空穴濃度;P型半導體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-13 21:39
【摘要】《模擬電子技術與應用》試題(1)一、填空(16分)1.半導體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結為____偏置,集電結為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結為___偏置,集電結為____偏置。3.當輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
【摘要】模擬電子技術復習題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關系。第三章(×)1.因為N型半導體的多子是自由電子,所以
2024-11-04 08:12
【摘要】1《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(
【摘要】模擬電子技術模擬試題卷庫試卷一一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(本大題共13小題,總計34分)2、(本小題2分)若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞,好的管子應為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2025-06-13 06:38
2024-11-06 08:43
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-11 07:58
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-30 23:33