【摘要】成都理工大學《數(shù)字電子技術基礎》模擬試題(二)題號一二三四總分得分一.填空題(共30分)1.PN結具有單向導電性。正向偏置時,多子以__________________運動為主,形成正向電流;反向偏置時,少子____________________運動,形成反向飽電流。2.雙極型晶體三
2025-06-26 00:02
【摘要】《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(),等效成一
2025-01-13 21:40
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
2024-11-02 11:36
【摘要】模擬電子技術基礎試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向導電性。2.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1uI2,則輸出電壓,uO0;
2024-10-26 15:23
【摘要】模擬電子技術基礎試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向導電性。2.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1=uI2,則輸出電壓,uO=0;若uI1=100mV,uI2
2025-06-30 23:32
【摘要】電子技術基礎試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標之一。6、處理模擬信號的電子電路稱為_______。7、把整個電路中的元器件制
2024-08-18 10:19
【摘要】電子技術基礎考試試題及答案一.填空題:(每題3分,共30分)1、N型半導體又稱電子型半導體,它主要靠自由電子導電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時,三個極中電位最高的是e極3、單級共射放大器對信號有放大和反相兩個作用
2025-06-29 15:16
【摘要】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
2025-03-31 04:55
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-18 07:58
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-30 23:33
【摘要】《數(shù)字電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進制數(shù)97,對應的十進制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項。4、基本邏輯運算有:與、或和非運算。5、兩二進制數(shù)相加時,不考慮低位的進位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】《電工電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-13 05:29
【摘要】系別專業(yè)(班級)姓名學號………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術基礎期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術基礎
2025-06-28 15:04
2025-07-31 21:40
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向導電性,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián),
2025-04-01 01:56