模擬電子技術(shù)試題-文庫(kù)吧資料
2025-01-13 21:39本頁(yè)面
【正文】 =1 c： AF1 16．產(chǎn)生低頻正弦波一般可 用（ ）振蕩電路；產(chǎn)生高頻正弦波可用（ ）振蕩電路；要求頻率穩(wěn)定性很高，則可用（ ）振蕩電路 。 14．抑制溫漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）電路。 13．輸入失調(diào)電壓 UIO 是（ ）。 C:限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián) 12．共模抑制比 KCMR是（ ）之比。 a：電壓 b：電流 c：輸入電阻 d：輸出電阻 11．穩(wěn)壓管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路，其接法是（ ）。 a： 9V b： 10v c： 12V d： IO e： IO/2 f： IO/4 g： U2 h： 22U L： 2U2。 a：雜質(zhì)濃度； b：溫度； c：輸入； d：電壓。 a:電壓 b:電流 c:電壓或電流 7．正弦波振蕩器的振蕩頻率由（ ）而定。 a ： 15； b ： 100； c： 30； d： 150。 5．一晶體管的極限參數(shù)： PCM=150mW， ICM=10
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