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正文內(nèi)容

模擬電子技術(shù)試題(編輯修改稿)

2025-02-03 21:39 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 b:電流 c:輸入電阻 d:輸出電阻 11.穩(wěn)壓管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路,其接法是( )。 a:穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻串聯(lián) b:穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻并聯(lián)。 C:限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后,負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián) 12.共模抑制比 KCMR是( )之比。 a:差模輸入信號(hào)與共模成分 b:輸出量中差模成分與共模成分 c:差模放大倍數(shù)與共模放大倍數(shù)(絕對(duì)值)。 13.輸入失調(diào)電壓 UIO 是( )。 a:兩個(gè)輸入端電壓之差 b:輸入端都為零時(shí)的輸出電壓 c:輸出端為零時(shí)輸入端的等效補(bǔ)償電壓。 14.抑制溫漂(零漂)最常用的方法是采用( )電路。 a:差放; b:正弦; c:數(shù)字 15.正弦波振蕩電路的振蕩條件是( )。 a: AF=1 b: AF=1 c: AF1 16.產(chǎn)生低頻正弦波一般可 用( )振蕩電路;產(chǎn)生高頻正弦波可用( )振蕩電路;要求頻率穩(wěn)定性很高,則可用( )振蕩電路 。 a:石英晶體; b :
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