模擬電子技術(shù)試題(已修改)
2025-01-19 21:39 本頁(yè)面
【正文】 模擬電子技術(shù)試題 1 一、 選擇填空（ 30 分） 1．本征半導(dǎo)體電子濃度（ ）空穴濃度； N 型半導(dǎo)體的電子濃度（ ）空穴濃度； P型半導(dǎo)體的電子濃度（ ）空穴濃度。 a：大于； b：小于； c：等于。 2．場(chǎng)效應(yīng)管屬于（ ）控制型器件，晶體三極管則屬于（ ）控制器件。 a：電壓； b：電流； c：電感； d：電容。 3．晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)（ ）偏置；集電結(jié)（ ）偏置。 a：正向； b：反向； c：零向； d：隨便。 4．二極管的最主要特性是（ ），它的兩個(gè)主要參數(shù)是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。 a： 單向?qū)щ娦裕? b：平均整流電流； c：反向工作電壓。 5．一晶體管的極限參數(shù)： PCM=150mW， ICM=100mA， U（ BR） CEO=30V。若它的工作電壓 UCE=10V，則工作電流 IC不得超過(guò)（ ） mA；若工作電壓 UCE==1V，則工
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