模擬電子技術(已修改)
2025-01-13 04:13 本頁面
【正文】 模 擬 電 子 技 術模擬電子技術講解提綱? 半導體技術? 晶體管放大電路? 集成運放? 反饋? 穩(wěn)壓電源模 擬 電 子 技 術第第 1 章章 半導體器件 半導體的基礎知識 半導體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結 雙極型半導體三極管模 擬 電 子 技 術 半導體的基礎知半導體的基礎知識識 本征半導體 雜質半導體 PN結模 擬 電 子 技 術 本征半導體半導體 — 導電能力介于導體和絕緣體之間的物質。本征 半導體 — 純凈的半導體。如硅、鍺單晶體。載流子 — 自由運動的帶電粒子。共價鍵 — 相鄰原子共有價電子所形成的束縛。模 擬 電 子 技 術兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運動自由電子 (在共價鍵以外 )的運動空穴 (在共價鍵以內 )的運動 結論 ：1. 本征半導體中電子空穴成對出現(xiàn)，且數(shù)量少； 2. 半導體中有電子和空穴兩種載流子參與導電； 3. 本征半導體導電能力弱，并與溫度有關 。模 擬 電 子 技 術 半導體二極管半導體二極管 半導體二極管的結構和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術 半導體二極管的結構和類型構成： PN 結 + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號： A (anode) C (cathode)分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結構分點接觸型面接觸型平面型模 擬 電 子 技 術點接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負極引線負極引線 面接觸型N型鍺PN 結 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底模 擬 電 子 技 術模 擬 電 子 技 術反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 ： 齊納擊穿 ：(Zener)反向電場太強，將電子強行拉出共價鍵。 (擊穿電壓 6 V， 負 溫度系數(shù) )雪崩擊穿： 反向電場使電子加速，動能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增?！?PN 結未損壞，斷電即恢復?！?PN 結燒毀。(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )擊穿電壓在 6 V 左右時，溫度系數(shù)趨近零。模 擬 電 子 技 術 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向導電性越好 )4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向導電性變差 )iDuDU (BR)I FURM O模 擬 電 子 技 術例 1 畫出硅二極管構成的橋式整流電路在ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。(按理想模型 )O tui / V15RLV1V2V3V4ui BA uO模 擬 電 子 技 術O tuO/ V15模 擬 電 子 技 術 特殊二極管 穩(wěn)壓二極管 光電二極管模 擬 電 子 技 術 穩(wěn)壓二極管一、伏安特性符號工作條件： 反向擊穿iZ /mAuZ/VO?UZ? IZmin? IZmax?UZ?IZ ? IZ特性模 擬 電 子 技 術 發(fā)光二極管與光敏二極管一、發(fā)光二極管 LED (Light Emitting Diode)1. 符號和特性工作條件： 正向偏置一般工作電流幾十 mA， 導通電壓 (1 ? 2) V符號u /Vi /mAO 2特性模 擬 電 子 技 術模 擬 電 子 技 術 雙極型 雙極型 半導體半導體三極管三極管 晶體三極管 晶體三極管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(Semiconductor Transistor) 晶體三極管一、結構、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結集電結— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB模 擬 電 子 技 術二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結面積大外部條件發(fā)射結正偏集電結反偏2. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極模 擬 電 子 技 術模 擬 電 子 技 術二、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個結反偏截止區(qū)ICEO模 擬
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