【總結】《模擬電子技術》課程教學大綱英文名稱:AnalogElectronics課程編號:12314020適用專業(yè):應用電子技術總學時數(shù):80學分:4一、課程的性質、目的與任務:《模擬電子技術基礎》是電子類專業(yè)在電子技術方面入門性質的技術基礎課。它具有自身的體系,是實踐性很強的課程。通過教學使學生掌握模擬電路中的基本概念、基本原理和基本實驗技能,掌握基本的分析方法和
2025-07-14 00:42
【總結】第一章一、選擇題(請選擇一個最合適的答案填入括號內)1.P型半導體中的多數(shù)載流子是(),N型半導體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當PN結正偏時,空間電荷區(qū)中載流子的擴散運動和漂流運動相比()。A.前者強于后者B.后者強于前者3.
2025-03-25 04:55
【總結】模擬電子技術第五章 負反饋放大電路的組成和基本類型 負反饋放大電路的組成和基本類型負反饋對放大電路應用中的幾個問題負反饋對放大電路應用中的幾個問題小結 負反饋對放大電路性能的影響 負反饋對放大電路性能的影響反饋模擬電子技術 負反饋放大電路的組成負反饋放大電路的
2025-02-26 08:11
【總結】1《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(
2025-01-07 21:39
【總結】模擬電子技術模擬試題卷庫試卷一一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(本大題共13小題,總計34分)2、(本小題2分)若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞,好的管子應為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2024-10-27 08:12
【總結】中國地質大學(北京)繼續(xù)教育學院2014年03課程考試《模擬電子技術》模擬題(補)一.填空題1.完全純凈的、結構完整的半導體晶體稱為本征半導體。2.在本征半導體中摻入少量的五價元素,可以形成N型半導體,常用摻雜的五價元素有磷、砷和鎢。3.半導體二極管的導電特性是單向導電性,即所謂的
2024-10-29 08:43
【總結】電工電子技術(二)和電子技術模擬試卷A1電子技術試題班級測04姓名學號第1頁題目一二三四五六七八總分數(shù)分數(shù)評卷人一,單項選擇題(從下列各題備選答案中選出一個正確答案,每小題2分
2024-10-19 17:20
【總結】第1、2課時課題半導體特性、PN結、二極管課型教學目的了解半導體的特性和PN結的形成與特性掌握二極管、穩(wěn)壓管的特性重點難點PN結的形成與特性二極管的伏安特性教學過程一、半導體的導電特性1、光敏性、熱敏性、可摻雜性2、本征半導體:純凈的半導體稱為本征半導體。3、N型半導體結構形成方式:摻入五價雜質元素
2025-08-05 10:17
【總結】成都大學教案學院(部):工業(yè)制造學院系(教研室):測控系授課教師:吳斌職稱:副教授課程名稱電子技術基礎(模擬部分)
2024-10-26 22:42
【總結】模擬電子技術試卷二(答案)一、選擇題。(20分)1.晶體三極管工作在飽和區(qū)時發(fā)射結、集電結的偏置是(B)A.發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置B.發(fā)射結正向偏置,集電結正向偏置C.發(fā)射結反向偏置,集電結反向偏置D.發(fā)射結反向偏置,集電結正向偏置2.圖示電路中,設變壓器副邊電壓有效值為U2,則輸出電壓平均值UO
【總結】《模擬電子技術基礎》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權加法器運算放大器的同
2025-06-25 22:30
【總結】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【總結】WORD格式整理電子技術基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-05 09:23
【總結】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33