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正文內(nèi)容

模擬電子技術(shù)教案(編輯修改稿)

2025-05-27 02:48 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 共基放大電路以基極為公共端,通過iE對(duì)iB的控制作用實(shí)現(xiàn)功率放大。2. 三種接法的比較共射放大電路既有電壓放大作用又有電流放大作用,輸入電阻居三種電路之中,輸出電阻較大,適用于一般放大;共集放大電路只有電流放大作用而沒有電壓放大作用,因其輸入電阻高而常做為多級(jí)放大電路的輸入級(jí),因其輸出電阻低而常做為多級(jí)放大電路的輸出級(jí),因其放大倍數(shù)接近于1而用于信號(hào)的跟隨;共基放大電路只有電壓放大作用而沒有電流放大作用,輸入電阻小,高頻特性好,適用于寬頻帶放大電路?!菊n堂討論】:三種放大電路組態(tài)的特點(diǎn)及應(yīng)用場合。作業(yè):練習(xí)題9,請(qǐng)寫出詳細(xì)過程。[教學(xué)反思] 22 模擬電子技術(shù) 課程教案第7講[課程類別] 理論課[授課題目] 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管[教學(xué)目的與要求]1. 熟悉絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理;2. 熟悉絕緣柵場效應(yīng)管的伏安特性;3. 了解場效應(yīng)管的主要參數(shù)。[教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn):1. N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理;2. N溝道增強(qiáng)型MOS管的伏安特性及其特性曲線。難點(diǎn):1. 絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理。[教具和媒體使用] 多媒體課件。[教學(xué)方法] 講授法、問題教學(xué)法。[教學(xué)時(shí)數(shù)] 2學(xué)時(shí)。[教學(xué)過程]導(dǎo)入:回憶:晶體管的工作原理和特性?新授: 一、場效應(yīng)管及其類型場效應(yīng)管FET是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同可分為兩大類:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET簡稱MOS管);每一類又有N溝道和P溝道兩種類型,其中MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。二、MOS管的結(jié)構(gòu)、原理N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型MOSFET基本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出兩個(gè)電極,漏極D,和源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底,用符號(hào)B表示。因?yàn)檫@種MOS管在VGS=0V時(shí)ID=0;只有當(dāng)UGS>UGS(th) 后才會(huì)出現(xiàn)漏極電流,所以稱為增強(qiáng)型MOS管。N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理1)夾斷區(qū)工作條件UGS=0時(shí),D與S之間是兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),沒有導(dǎo)電溝道,無論D與S之間加什么極性的電壓,漏極電流均接近于零;當(dāng)0﹤UGS﹤UGS(th)時(shí),由柵極指向襯底方向的電場使空穴向下移動(dòng),電子向上移動(dòng),在P型硅襯底的上表面形成耗盡層,仍然沒有漏極電流。 1)可變電阻區(qū)2)可變電阻區(qū)工作條件當(dāng)UGS UGS(th) 時(shí),柵極下P型半導(dǎo)體表面形成N型導(dǎo)電溝道(反型層),若D、S間加上正向電壓后可產(chǎn)生漏極電流ID。若uDS<uGS UGS(th),則溝道沒夾斷,對(duì)應(yīng)不同的uGS,ds間等效成不同阻值的電阻,此時(shí),F(xiàn)ET相當(dāng)于壓控電阻。3)恒流區(qū)(或飽和區(qū))工作條件當(dāng)uDS=uGS UGS(th) 時(shí),溝道預(yù)夾斷;若uDS>uGS UGS(th),則溝道已夾斷,iD僅僅決定于uGS,而與uDS無關(guān)。此時(shí),iD近似看成uGS控制的電流源,F(xiàn)ET相當(dāng)于壓控流源。可見,對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOS管,柵源電壓VGS對(duì)導(dǎo)電溝道有控制作用,即當(dāng)UGS UGS(th)時(shí),才能形成導(dǎo)電溝道將漏極和源極溝通。如果此時(shí)加有漏源電壓,就可以形成漏極電流ID。當(dāng)場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)時(shí),利用柵-源之間外加電壓uGS所產(chǎn)生的電場來改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制多子漂移運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生的漏極電流ID。此時(shí),可將ID看成電壓uGS控制的電流源。N溝道耗盡型MOSFETN溝道耗盡型MOSFET是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子,所以當(dāng)UGS=0時(shí),這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。如P57圖39所示。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當(dāng)UGS>0時(shí),將使ID進(jìn)一步增加。UGS<0時(shí),隨著UGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對(duì)應(yīng)ID=0的UGS稱為夾斷電壓,用符號(hào)UGS(off)表示,三、場效應(yīng)管的伏安特性場效應(yīng)三極管的特性曲線類型比較多,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同以及是增強(qiáng)型還是耗盡型可有四種轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線,其電壓和電流方向也有所不同。以增強(qiáng)型N溝MOSFET為例,輸出特性:iD=f (uDS)︱UGS =常數(shù) 反映UGS>UGS(th) 且固定為某一值時(shí),UDS對(duì)ID的影響;轉(zhuǎn)移特性:iD=f (uGS)︱UDS =常數(shù) 反映UGS對(duì)漏極電流的控制關(guān)系;輸出特性和轉(zhuǎn)移特性反映了場效應(yīng)管工作的同一物理過程,因此,轉(zhuǎn)移特性可以從輸出特性上用作圖法一一對(duì)應(yīng)地求出。場效應(yīng)管的輸出特性可分為四個(gè)區(qū):夾斷區(qū)、可變阻區(qū)、飽和區(qū)(或恒流區(qū))和擊穿區(qū)。在放大電路中,場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。四、場效應(yīng)管的主要參數(shù):1) 直流參數(shù)(1)開啟電壓UGS(th):開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。(2)夾斷電壓UGS(off):夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當(dāng)UGS=UGS(off) 時(shí),漏極電流為零。(3)飽和漏極電流IDSS:IDSS是耗盡型FET的參數(shù),當(dāng)UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。(4)直流輸入電阻RGS(DC):FET的柵源輸入電阻。對(duì)于JFET,反偏時(shí)RGS約大于107Ω;對(duì)于MOSFET,RGS約是109~1015Ω。 2) 交流參數(shù)(1)低頻跨導(dǎo)gm:低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用,這一點(diǎn)與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取,單位是mS(毫西門子)。(2)級(jí)間電容:FET的三個(gè)電極間均存在極間電容。通常Cgs和Cgd約為1~3pF,~1pF。在高頻電路中,應(yīng)考慮極間電容的影響。3) 極限參數(shù)(1)最大漏極電流IDM:是FET正常工作時(shí)漏極電流的上限值。(2)漏源擊穿電壓U(BR)DS:FET進(jìn)入恒流區(qū)后,使iD驟然增大的uDS值稱為漏—源擊穿電壓,uDS超過此值會(huì)使管子燒壞。(3)最大耗散功率PDM:可由PDM= VDS ID決定,與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。五、場效應(yīng)管FET與晶體管BJT的比較1) FET是另一種半導(dǎo)體器件,在FET中只是多子參與導(dǎo)電,故稱為單極型三極管;而普通三極管參與導(dǎo)電的既有多數(shù)載流子,也有少數(shù)載流子,故稱為雙極型三極管(BJT)。由于少數(shù)載流子的濃度易受溫度影響,因此,在溫度穩(wěn)定性、低噪聲等方面FET優(yōu)于BJT。2) BJT是電流控制器件,通過控制基極電流達(dá)到控制輸出電流的目的。因此,基極總有一定的電流,故BJT的輸入電阻較低;FET是電壓控制器件,其輸出電流取決于柵源間的電壓,柵極幾乎不取用電流,因此,F(xiàn)ET的輸入電阻很高,可以達(dá)到109~1014Ω。高輸入電阻是FET的突出優(yōu)點(diǎn)。3) FET的漏極和源極可以互換使用,耗盡型MOS管的柵極電壓可正可負(fù),因而FET放大電路的構(gòu)成比BJT放大電路靈活。4) FET 和BJT都可以用于放大或作可控開關(guān)。但FET還可以作為壓控電阻使用,可以在微電流、低電壓條件下工作,且便于集成。在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中應(yīng)用極為廣泛?!菊n堂討論】:與晶體管相比,場效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)?作業(yè):習(xí)題3(2),請(qǐng)寫出詳細(xì)過程。[教學(xué)反思] 26 模擬電子技術(shù) 課程教案第8講[課程類別] 理論課[授課題目] [教學(xué)目的與要求]1. 熟悉反饋的基本概念;2. 掌握反饋的分類及其判別方法。[教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn):1. 反饋的基本概念;2. 各種反饋類型的判斷。難點(diǎn):1. 反饋的判斷方法。[教具和媒體使用] 多媒體課件。[教學(xué)方法] 講授法、問題教學(xué)法。[教學(xué)時(shí)數(shù)] 2學(xué)時(shí)。[教學(xué)過程]導(dǎo)入: 常規(guī)基本放大電路信號(hào)傳輸方式及其缺點(diǎn),導(dǎo)入反饋概念。新授: 一、反饋的基本概念什么是反饋反饋:將放大器輸出信號(hào)的一部分或全部經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)送回輸入端。反饋的示意圖見下圖所示,反饋信號(hào)的傳輸是反向傳輸。開環(huán):放大電路無反饋,信號(hào)的傳輸只能正向從輸入端到輸出端。閉環(huán):放大電路有反饋,將輸出信號(hào)送回到放大電路的輸入回路,與原輸入信號(hào)相加或相減后再作用到放大電路的輸入端。圖示中是輸入信號(hào),是反饋信號(hào),稱為凈輸入信號(hào)。所以有 負(fù)反饋和正反饋負(fù)反饋:加入反饋后,凈輸入信號(hào),輸出幅度下降。應(yīng)用:負(fù)反饋能穩(wěn)定與反饋量成正比的輸出量,因而在控制系統(tǒng)中穩(wěn)壓、穩(wěn)流。正反饋:加入反饋后,凈輸入信號(hào),輸出幅度增加。應(yīng)用:正反饋提高了增益,常用于波形發(fā)生器。交流反饋和直流反饋直流反饋:反饋信號(hào)只有直流成分;交流反饋:反饋信號(hào)只有交流成分;交直流反饋:反饋信號(hào)既有交流成分又有直流成分。直流負(fù)反饋?zhàn)饔茫悍€(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn);交流負(fù)反饋?zhàn)饔茫簭牟煌矫娓纳苿?dòng)態(tài)技術(shù)指標(biāo),對(duì)Au、Ri、Ro有影響。二、反饋的判斷有無反饋的判斷(1)是否存在一條支路是輸入回路和輸出回路的共用支路;(2)是否存在一條支路,一端接在輸入回路、另一端接在輸出回路。注意: 反饋至輸入端不能接地,否則不是反饋。正、負(fù)反饋極性的判斷之一:瞬時(shí)極性法(1)在輸入端,先假定輸入信號(hào)的瞬時(shí)極性;可用“+”、“”或“↑”、“↓”表示;(2)根據(jù)放大電路各級(jí)的組態(tài),決定輸出量與反饋量的瞬時(shí)極性。(3)最后觀察引回到輸入端反饋信號(hào)的瞬時(shí)極性,若使凈輸入信號(hào)增強(qiáng),為正反饋,否則為負(fù)反饋。注意:(1)極性按中頻段考慮;(2)必須熟悉放大電路輸入和輸出量的相位關(guān)系;(3)反饋類型主要取決于電路的連接方式,而與Ui的極性無關(guān);(4)對(duì)單個(gè)運(yùn)放一般有:反饋接至反相輸入端為負(fù)反饋;反饋接至同相輸入端為正反饋。正、負(fù)反饋極性的判斷法之二:在明確串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋后,正、負(fù)反饋極性可用下列方法來判斷:(1)反饋信號(hào)和輸入信號(hào)加于輸入回路同一點(diǎn)時(shí):瞬時(shí)極性相同的為正反饋;瞬時(shí)極性相反的是負(fù)反饋;(2)反饋信號(hào)和輸入信號(hào)加于輸入回路兩點(diǎn)時(shí):瞬時(shí)極性相同的為負(fù)反饋;瞬時(shí)極性相反的是正反饋。對(duì)三極管放大電路來說這兩點(diǎn)是基極和發(fā)射極,對(duì)運(yùn)算放大器來說是同相輸入端和反相輸入端。 注意:輸入信號(hào)和反饋信號(hào)的瞬時(shí)極性都是指對(duì)地而言,這樣才有可比性。電壓反饋和電流反饋(1)電壓反饋:反饋信號(hào)的大小與輸出電壓成比例(采樣輸出電壓);(2)電流反饋,反饋信號(hào)的大小與輸出電流成比例(采樣輸出電流)。(3)判斷方法:將輸出電壓“短路”,若反饋回來的反饋信號(hào)為零,則為電壓反饋;若反饋信號(hào)仍然存在,則為電流反饋。應(yīng)用中,若要穩(wěn)定輸出端某一電量,則采樣該電量,以負(fù)反饋形式送輸入端。電壓負(fù)反饋?zhàn)饔茫悍€(wěn)定放大電路的輸出電壓。電流負(fù)反饋?zhàn)饔茫悍€(wěn)定放大電路的輸出電流。串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋(根據(jù)反饋信號(hào)在輸入端的求和方式)(1)串聯(lián)反饋:反饋信號(hào)與輸入信號(hào)加在放大電路輸入回路的兩個(gè)電極上,此時(shí)反饋信號(hào)與輸入信號(hào)是電壓相加減的關(guān)系。(2)并聯(lián)反饋,反饋信號(hào)加在放大電路輸入回路的同一個(gè)電極,此時(shí)反饋信號(hào)與輸入信號(hào)是電流相加減的關(guān)系。(3)判別方法:將反饋節(jié)點(diǎn)對(duì)地短接,若輸入信號(hào)仍能送入放大電路,則反饋為串聯(lián)反饋,否則為并聯(lián)反饋。對(duì)于三極管來說,反饋信號(hào)與輸入信號(hào)同時(shí)加在輸入三極管的基極或發(fā)射極,則為并聯(lián)反饋;一個(gè)加在基極,另一個(gè)加在發(fā)射極則為串聯(lián)反饋。對(duì)于運(yùn)算放大器來說,反饋信號(hào)與輸入信號(hào)同時(shí)加在同相輸入端或反相輸入端,則為并聯(lián)反饋;一個(gè)加在同相輸入端,另一個(gè)加在反相輸入端則為串聯(lián)反饋。直、交流反饋方法判斷:根據(jù)反饋網(wǎng)絡(luò)中是否有動(dòng)態(tài)元件進(jìn)行判斷。(1)若反饋網(wǎng)絡(luò)無動(dòng)態(tài)元件(通常為電容),則反饋信號(hào)交、直流并存;(2)若反饋網(wǎng)絡(luò)有電容串聯(lián),則只有交流反饋;(3)若反饋網(wǎng)絡(luò)有電容并聯(lián),則只有直流反饋。三、負(fù)反饋放大電路的四種基本組態(tài)負(fù)反饋的基本組態(tài)類型: 電壓串聯(lián)負(fù)反饋,電壓并聯(lián)負(fù)反饋,電流串聯(lián)負(fù)反饋,電流并聯(lián)負(fù)反饋。負(fù)反饋放大電路反饋組態(tài)的判斷方法: (1)從放大器輸出端的采樣物理量,看反饋量取自電壓還是電流;(2)從輸入端的連接方式,判斷反饋是串聯(lián)還是并聯(lián)。四種負(fù)反饋組態(tài)及組態(tài)的判斷(1)電壓串聯(lián)負(fù)反饋* 表現(xiàn)形式:輸出和反饋均以電壓的形式出現(xiàn)(a)分立元件放大電路 (b)集成運(yùn)放放大電路在放大器輸出端,采樣輸出電壓, 反饋量 與 成正比,為電壓反饋;在放大器輸入端,信號(hào)以電壓形式出現(xiàn), 與 相串聯(lián),為串聯(lián)反饋;* 參量表示:因輸出端采樣電壓,在輸入端是輸入電壓和反饋電壓相減,所以:閉環(huán)放大倍數(shù): 反饋系數(shù) 。對(duì)于圖上 (a) ,對(duì)于圖下 (b) * 判斷方法對(duì)上圖(a)所示電路,根據(jù)瞬時(shí)極性法判斷,經(jīng)Rf加在發(fā)射極E1上的反饋電壓為‘+’,與輸入電壓極性相同,且加在輸入回路的兩點(diǎn),故為串聯(lián)負(fù)反饋。反饋信號(hào)與輸出電壓成比例,是電壓反饋。后級(jí)對(duì)前級(jí)的這一反饋是交流反饋,同時(shí)Re1上還有第一級(jí)本身的負(fù)反饋。對(duì)圖(b),因輸入信號(hào)和反饋信號(hào)加在運(yùn)放的兩個(gè)輸入端,故為串聯(lián)反饋,根據(jù)瞬時(shí)極性判斷是負(fù)反饋,且為電壓負(fù)反饋。結(jié)論是交直流串聯(lián)電壓負(fù)反饋。(2)電流串聯(lián)負(fù)反饋* 表現(xiàn)形式:輸出采樣輸出電流,而反饋量則以電壓的形式出現(xiàn)電路如下圖所示。圖(a)是共射基本放大電路將Ce去掉而構(gòu)成。圖 (b)是由集成運(yùn)放構(gòu)成。(a) (b)* 參量表示:對(duì)圖 (b)的電路,求其互導(dǎo)增益 于是1/R ,這里忽略了Rf的分流作用。電壓增益為 * 判斷方法:對(duì)圖(a),反饋電壓從Re上取出,根據(jù)瞬時(shí)極性和反饋電壓接入方式,可判斷為串聯(lián)負(fù)反饋。因輸出電壓短路,反饋
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