【摘要】模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴 B.本征半導(dǎo)體 C.P型半導(dǎo)體 D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運動較強,PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散 B.漂移 C.小 D.大3.三極管有()和()兩種載流子參與導(dǎo)電,故稱作()極型晶體管;而場效應(yīng)管稱作()極型晶體管。
2025-04-01 00:51
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項。4、基本邏輯運算有:與、或和非運算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時,不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】課程設(shè)計說明書課程名稱:數(shù)字電子技術(shù)、模擬電子技術(shù)設(shè)計題目:循環(huán)彩燈院系:電子信息與電氣工程學(xué)院學(xué)生姓名:李健學(xué)號:201002030013專業(yè)班級:通信工程2010級
2025-06-06 18:03
【摘要】做試題,沒答案?上自考365,網(wǎng)校名師為你詳細(xì)解答!2002年4月自考模擬數(shù)字及電力電子技術(shù)試題一、單項選擇題(本大題共12小題,每小題2分,共24分)在每小題列出的四個選項中只有一個選項是符合題目要求的,請將正確選項前的字母填在題后的括號內(nèi)。1.對半導(dǎo)體三極管,測得發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏,此時該三極管處于()A.放大狀態(tài)B.截
2025-03-31 07:30
【摘要】一、單項選擇題1.由開關(guān)組成的邏輯電路如圖所示,設(shè)開關(guān)接通為“1”,斷開為“0”,電燈亮為“1”,電燈暗為“0”,則該電路為(B)。A.“與”門 B.“或”門 C.“非”門2.圖示邏輯電路的邏輯式為(C)。A.A+B B. C.AB+3.當(dāng)A=B=0時,能實現(xiàn)Y=1的邏輯運算為:( D )A
2024-10-08 18:29
【摘要】全國2003年4月自考模擬數(shù)字及電力電子技術(shù)試題(課程代碼:02238)第一部分選擇題(共32分)一、單項選擇題(本大題共16小題,每小題2分,共32分)在每小題列出的四個選項中只有一個是符合題目要求的,請將其代碼填寫在題后的括號內(nèi)。錯選、多選或未選均無分。1.、、6V,則這只三極管屬于()A.硅PNP型 B.硅N
2025-03-30 07:33
【摘要】成都理工大學(xué)《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬試題(二)題號一二三四總分得分一.填空題(共30分)1.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。正向偏置時,多子以__________________運動為主,形成正向電流;反向偏置時,少子____________________運動,形成反向飽電流。2.雙極型晶體三
2025-06-26 00:02
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為(),等效成斷開;
2025-03-31 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-13 21:39
【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.八進(jìn)制數(shù)()8的等值二進(jìn)制數(shù)為()2;十進(jìn)制數(shù)98的8421BCD碼為()8421BCD。2.TTL與非門的多余輸入端懸空時,相當(dāng)于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡邏輯表達(dá)式為。4.一個JK觸發(fā)器有個穩(wěn)態(tài),它可存儲位二進(jìn)制數(shù)。
2025-06-06 12:19
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)試題一一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.
2025-03-31 02:54
【摘要】1數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程期末考試第2卷考試專業(yè)班級電氣系專業(yè),考試形式:閉卷考試時間:120分鐘考試學(xué)期:,考試類型:考試命題教師:黃建春題號一二三四五六七八
2025-01-14 23:45
【摘要】7/7
2025-03-30 05:18
【摘要】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-11 21:32