【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時,不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-04 20:13
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-13 05:29
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為(),等效成斷開;
2025-03-31 04:55
2025-06-13 06:38
【摘要】《電工及電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)資料一、填空:(本大題包括10小題,每小題2分,共計(jì)20分)1.實(shí)際電壓源的內(nèi)阻越小,其特性越接接近于理想________源。2.電路中電位參考點(diǎn)發(fā)生變化后,其它各點(diǎn)的電位_______________________。3.在對稱三相電路中,若負(fù)載作三角形連接,其相電流iAB=5sin(314t+60°)A。則線電流iA=_____
2025-06-05 23:55
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(
2025-01-13 21:39
【摘要】模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫試卷一一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)(本大題共13小題,總計(jì)34分)2、(本小題2分)若用萬用表測二極管的正、反向電阻的方法來判斷二極管的好壞,好的管子應(yīng)為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2024-11-04 08:12
2024-11-06 08:43
【摘要】模擬電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1.半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2.本征半導(dǎo)體中,若摻入微量的五價(jià)元素,則形成N型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是電子;若摻入微量的三價(jià)元素,則形成P型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是空穴。3.PN結(jié)在正偏時導(dǎo)通反偏時截止,這種特性稱為單向?qū)?/span>
2025-06-29 22:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
【摘要】模電考試必備第1頁共6《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬課題1這是本校內(nèi)部試題吉林城建學(xué)院一、選擇題(分/小題,共12分)工業(yè)⒈PN結(jié)加反向電壓時,空間電荷區(qū)將c。A、變窄A、變窄B、基本不變C、變寬D、不確定⒉在輸入量不變的情況下,若引入
【摘要】成都理工大學(xué)《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬試題(二)題號一二三四總分得分一.填空題(共30分)1.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴U蚱脮r,多子以__________________運(yùn)動為主,形成正向電流;反向偏置時,少子____________________運(yùn)動,形成反向飽電流。2.雙極型晶體三
2025-06-26 00:02
【摘要】?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?(A)卷第1頁共6頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷及參考答案1、在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體,加入元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)2、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
2024-11-14 05:05