【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-13 21:40
【摘要】1考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時,_________損耗會成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻
2025-06-13 03:22
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-13 05:29
【摘要】模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴 B.本征半導(dǎo)體 C.P型半導(dǎo)體 D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運(yùn)動較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散 B.漂移 C.小 D.大3.三極管有()和()兩種載流子參與導(dǎo)電,故稱作()極型晶體管;而場效應(yīng)管稱作()極型晶體管。
2025-04-01 00:51
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運(yùn)動較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-29 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時,不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-04 20:13
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),
2024-11-01 11:04
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級_______學(xué)號______姓名______分?jǐn)?shù)______一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜越多,則
2024-11-02 11:36
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》試卷目錄《模擬電子技術(shù)》試卷1..................................................................................................................................1《模擬電子技術(shù)》試卷1答案
2025-01-15 21:12
【摘要】模擬試卷一一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。4.為提高放大電路
2025-06-30 23:32
【摘要】《模擬電子技術(shù)》試卷目錄《模擬電子技術(shù)》試卷1 1《模擬電子技術(shù)》試卷1答案 5《模擬電子技術(shù)》試卷2 7《模擬電子技術(shù)》試卷2答案 10《模擬電子技術(shù)》試卷3 12《模擬電子技術(shù)》試卷3答案 16《模擬電子技術(shù)》試卷4 18《模擬電子技術(shù)》試卷4答案 20《模擬電子技術(shù)》試卷5 23《模擬電子技術(shù)》試卷5答案 26《模擬電子
2025-06-11 21:27
【摘要】《電工及電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)資料一、填空:(本大題包括10小題,每小題2分,共計(jì)20分)1.實(shí)際電壓源的內(nèi)阻越小,其特性越接接近于理想________源。2.電路中電位參考點(diǎn)發(fā)生變化后,其它各點(diǎn)的電位_______________________。3.在對稱三相電路中,若負(fù)載作三角形連接,其相電流iAB=5sin(314t+60°)A。則線電流iA=_____
2025-06-05 23:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題一一、填空題1、在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是;在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是。2、場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號源與低阻負(fù)載能很好地配合,可以在信號源與負(fù)載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級
【摘要】?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?(A)卷第1頁共6頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷及參考答案1、在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體,加入元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)2、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
2024-11-14 05:05