晶原生產(chǎn)工藝流程、設(shè)備及真空泵-文庫(kù)吧資料
2025-06-30 12:36本頁(yè)面
【正文】 除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 , (P+5) (B+3) (post bake) （6）腐蝕 （1）光刻膠的涂敷 （2）預(yù)烘 分子磊晶成長(zhǎng) (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生長(zhǎng)法 (LPE) 涂敷光刻膠 CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic 晶圓生產(chǎn)工藝流程介紹：表面清洗 初次氧化 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。 其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。 晶圓針測(cè)工序：經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測(cè)試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。 晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開(kāi)關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵ront End）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ack End）工序。 1包裝（Packing）：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，準(zhǔn)備發(fā)往以下的芯片制造車間或出廠發(fā)往訂貨客戶。 清洗（Cleaning）：將加工完成的晶片進(jìn)行最后的徹底清洗、風(fēng)干?！ ∪ゴ茫℅ettering）：用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利于后序加工。 研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割時(shí)在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。 切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。 外徑研磨（Surface Grinding amp。 晶棒裁切與檢測(cè)（
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