led的生產(chǎn)工藝流程及設(shè)備1-文庫吧資料
2025-03-17 16:57本頁面
【正文】 以制備，從金屬薄膜也可以制備無機(jī)薄膜。 ? 除了主流 PVD，還有激光脈沖淀積、等離子蒸發(fā)、分子束外延等補(bǔ)充形式。 ? 蒸發(fā)淀積是將源的溫度加熱到高溫，利用蒸發(fā)的物理現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)源內(nèi)原子或分子的運(yùn)輸，因而需要高的真空，蒸發(fā)淀積中應(yīng)用比較廣泛的熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)。 ? VPE 依反應(yīng)機(jī)構(gòu)可以分成： (ａ ) 化學(xué)氣相沉積 (CVD) (ｂ ) 物理氣相沉積 (PVD) LED外延制作 PVD ? PVD是原子直接以氣態(tài)形式從淀積源運(yùn)動(dòng)到襯底表面從而形成固態(tài)薄膜。 8）外延生長 9）關(guān)爐取片 液相外延工藝流程 LED外延制作 氣相外延 (Vapor Phase Epitoxy， VPE) ? VPE的原理是讓生長原材料以氣體或電漿粒子的形式傳輸至芯片表面，這些粒子在失去部份的動(dòng)能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb)，通常芯片會以熱的形式提供能量給粒子，使其游移至晶格位置而凝結(jié) (Condensation)。 6）裝源。 LED外延制作 液相外延的生長原理 LED外延制作 液相外延示意圖 LED外延制作 實(shí)際液相外延設(shè)備 LED外延制作 生長溶液配制 外延生長前的準(zhǔn)備工作 1）石墨舟處理 2）反應(yīng)管處理 3）爐溫設(shè)定 4）襯底制備 5）生長源稱量 6）生長材料腐蝕清洗 外延生長步驟 1）開爐 2）清洗玻璃和石英器皿 3）稱好長溶劑后應(yīng)立即裝入石墨舟源槽中，以減少在空氣中的氧化和沾污； 4）抽真空和通氫氣。 ? 由于生長速率較快，難以得到納米厚度的外延材料。 ? 優(yōu)點(diǎn)： 1．生長設(shè)備比較簡單； 2．生長速率快； 3．外延材料純度比較高； 4．摻雜劑選擇范圍較廣泛； 5．外延層的位錯(cuò)密度通常比它賴以生長的襯底要低； 6．成分和厚度都可以比較精確的控制，重復(fù)性好； 7．操作安全。 ? 氣相外延（ VPE） ? 液相外延（ LPE） ? 分子束外延（ MBE） ? 金屬有機(jī)化合物氣相外延（ MOCVD） 外延技術(shù)的分類 LED外延制作 ? 從飽和溶液中在單晶襯底上生長外延層的方法稱液相外延。事實(shí)上；LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延材料。 ? 檢驗(yàn)（ INSPECTION）： 芯片在無塵環(huán)境中進(jìn)行嚴(yán)格的檢查，包含表面的潔凈度、平坦度以及各項(xiàng)規(guī)格以確保品質(zhì)符合顧客的要求。 ? 晶片拋光 可分為邊緣拋光與晶片表面拋光。 ? 晶片蝕刻 蝕刻的目的在于除去先前各步機(jī)械加工所造成的損傷，同時(shí)獲得干凈且光亮的表面，刻蝕化學(xué)作用可區(qū)分為酸性及堿性反應(yīng)。它決定了晶片的幾個(gè)重要規(guī)格： 晶面的結(jié)晶方向、晶片的厚度、晶面斜度與
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