晶原生產(chǎn)工藝流程、設(shè)備及真空泵-展示頁(yè)
2025-07-03 12:36本頁(yè)面
【正文】 Cutting amp。 5）、尾部成長(zhǎng)（Tail Growth）：當(dāng)晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生，最終使晶棒與液面完全分離。 3）、晶冠成長(zhǎng)（Crown Growth）：頸部成長(zhǎng)完成后，慢慢降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸（如12吋等）。C以上，使其完全融化。IC制造流程見(jiàn)圖一。IC產(chǎn)業(yè)可分為設(shè)備業(yè)、設(shè)計(jì)業(yè)、加工業(yè)和支撐業(yè)（包括硅晶圓、各種化學(xué)試劑、氣體、引線框架等）。IC加工業(yè)本身按其順序可分為光掩膜業(yè)、制造業(yè)（包括IDM模式和Foundry模式）、封裝業(yè)和測(cè)試業(yè)?！?LED晶片生產(chǎn)流程圖：晶圓的生產(chǎn)工藝流程： 從大的方面來(lái)講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時(shí)又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば颍骸 ?晶棒成長(zhǎng) 晶棒裁切與檢測(cè) 外徑研磨 切片 圓邊 表層研磨 蝕刻 去疵 拋光 清洗 檢驗(yàn) 包裝 晶棒成長(zhǎng)工序：它又可細(xì)分為： 1）、融化（Melt Down）：將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點(diǎn)1420176。2）、頸部成長(zhǎng)（Neck Growth）：待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將〈〉方向的晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸（一般約6mm左右），維持此直徑并拉長(zhǎng)100200mm，以消除晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。 4）、晶體成長(zhǎng)（Body Growth）：不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，只到晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值。到此即得到一根完整的晶棒。 Inspection）：將長(zhǎng)成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對(duì)尺寸進(jìn)行檢測(cè)，以決定下步加工的工藝參數(shù)。 Shaping）：由于在晶棒成長(zhǎng)過(guò)程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。 圓邊（Edge Profiling）：由于剛切下來(lái)的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對(duì)后工序帶來(lái)污染顆粒，必須用專(zhuān)用的電腦控制設(shè)備自動(dòng)修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。
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