simox工藝簡(jiǎn)介ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-11 18:24本頁(yè)面
【正文】 工單上硅片要求是否跟投料硅片符合。 角度 20176。 退火 6HD ANN 清洗 6HD cln3 UV1280測(cè)試 6HD 4L HF Secco IV測(cè)試 每爐做一次 SIMOX產(chǎn)品 HD產(chǎn)品流程 角度 200176。在注入后的高溫退火中氧原子（注入和退火氣氛中擴(kuò)散進(jìn)入襯底的氧）沿著多晶的晶粒邊界快速擴(kuò)散，促進(jìn)埋氧層的形成并增厚了埋氧層 ? AD工藝 原理：兩次注入兩次退火 在襯底內(nèi)部形成連續(xù)氧化層 Confidential 投料 顆粒測(cè)試 一次注入 顆粒測(cè)試 清洗 目檢 顆粒測(cè)試 二次注入 顆粒測(cè)試 目檢 6HDP0 （ 20個(gè)） 核對(duì)料號(hào) 片子規(guī)格 厚度 電阻率 晶向 類(lèi)型摻雜 記錄 ID輸入電腦 6HDP1 8080寫(xiě)異常報(bào)告 （顆粒高可能導(dǎo)致氧化層針孔從而影響擊穿電壓） 6HD cln1 6HDP230 30表觀好，取出再次清洗。頂層養(yǎng)護(hù)層厚度 4400+50A Range100A SOI厚度 1950+50A BOX厚度 1200+50 range100 ? AD AD產(chǎn)品膜厚分為三層：頂層硅（ SOI）中間氧化層（ BOX）和 襯底。 Confidential SIMOX產(chǎn)品工藝條件 ? HD工藝 條件：一次注入 能量 190keV 角度 200 劑量 +17 溫度 520℃ 二次注入 能量 190keV 角度 20 劑量 +17 溫度 520℃ ? XYZ工藝 條件：一次注入 能量 190keV 角度 200 劑量 +17 溫度 365℃ 二次注入能量 180keV 角度 20176。通常退火溫度在 1300 ℃ ，時(shí)間為 5~6小時(shí)。 Confidential SIMOX 改進(jìn) SIMOX材料質(zhì)量的途徑 ?選擇合理靶片溫度與退火溫度 ? 研究結(jié)果表明當(dāng)注入溫度低于 500 ℃ 時(shí)，材料缺陷密度較高要獲得較高質(zhì)量的材料，通常靶片溫度選擇在 600~700 ℃ 可以獲得較高質(zhì)量的頂層硅膜。 160keV 130keV 100keV ℃ /5h Confidential SIMOX 過(guò)程參數(shù)影響 ? 退火溫度：高溫退火消除注入缺陷，消融頂層硅中氧沉淀，促使埋層形成。 200keV/1325 ℃ (16h) Confidential SIMOX 過(guò)程參數(shù)影響 ? 注入能量：控制離子注入的射程，從而影響頂層硅厚度。 ? 硅片溫度：影響注入過(guò)程缺陷形成，低溫容易導(dǎo)致頂層硅的非晶化。 ? 退火溫度：高溫退火消除注入缺陷，消融頂層硅中氧沉淀，促使埋層形成。 ? 注入能量：控制離子注入的射程，從而影響頂層硅厚度。這時(shí)圓片的質(zhì)量得以恢復(fù)而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。然而注入對(duì)圓片造成相當(dāng)大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不好。此方法有兩個(gè)關(guān)鍵步驟：離子注入和退火。被稱(chēng)為有望替 代體硅成為新一代的集成電路襯底材料。Confidential SIMOX工藝簡(jiǎn)介 楊健 9月 5日 Confidential 概述
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