simox工藝簡介ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 理：兩次注入一次退火 每次注入劑量 +17 兩次注入后通過退火修復(fù)注入時氧離子打亂的晶格并在片子內(nèi)部形成連續(xù)氧化層 ? XYZ工藝 原理：兩次注入一次退火 第一次注入 +17在硅片內(nèi)部形成不連續(xù)的氧化層 二次注入為室溫注入劑量 4E+15 二次注入的氧離子將第一次注入的氧離子分布峰值區(qū)域選擇性晶化形成一層非晶硅層并在退火過程中形成多晶。在注入后的高溫退火中氧原子（注入和退火氣氛中擴散進入襯底的氧）沿著多晶的晶粒邊界快速擴散，促進埋氧層的形成并增厚了埋氧層 ? AD工藝 原理：兩次注入兩次退火 在襯底內(nèi)部形成連續(xù)氧化層 Confidential 投料 顆粒測試 一次注入 顆粒測試 清洗 目檢 顆粒測試 二次注入 顆粒測試 目檢 6HDP0 （ 20個） 核對料號 片子規(guī)格 厚度 電阻率 晶向 類型摻雜 記錄 ID輸入電腦 6HDP1 8080寫異常報告 （顆粒高可能導(dǎo)致氧化層針孔從而影響擊穿電壓） 6HD cln1 6HDP230 30表觀好，取出再次清洗。中間劃傷嚴(yán)重取出報廢 6HDP1 80寫異常報告 顆粒測試 清洗 待接到退火通知再清洗 6HD cln2 6HDP230 30表觀 ok，取出再次清洗。 退火 6HD ANN 清洗 6HD cln3 UV1280測試 6HD 4L HF Secco IV測試 每爐做一次 SIMOX產(chǎn)品 HD產(chǎn)品流程 角度 200176。 能量 190 劑量 +17 溫度 520176。 角度 20176。 能量 190 劑量 +17 溫度 520176。 Confidential HD產(chǎn)品流程 投料 ? 將裸硅片投入生產(chǎn)線，按照工藝要求打出工單 ? 確認(rèn)工單上硅片要求是否跟投料硅片符合。比如：產(chǎn)品數(shù)量、產(chǎn)品大小、產(chǎn)品晶向（ 100）、 摻雜及摻雜類型、產(chǎn)品厚度、有無背封及產(chǎn)品電阻率大小 ? 分片：確認(rèn)好硅片規(guī)格后將裸硅片按照 ID 分到片盒規(guī)定的 slot號中 Confidential HD產(chǎn)品流程 顆粒測試 ?注入前測顆粒： 程序為： 6寸為 6HDP06mm 標(biāo)準(zhǔn)為 LPD 于 20個 8寸為 8HDP06mm 標(biāo)準(zhǔn)為 LPD 大于 20個 ?顆粒影響 注入前顆粒高可能會導(dǎo)致 XYZ工藝注入后亮點頂層硅表面缺陷 對 HD工藝 BOX層產(chǎn)生針孔導(dǎo)致?lián)舸╇妷旱? Confidential HD產(chǎn)品流程 一次注入 ?注入條件： 角度 200176。 溫度 520℃ 能量 190keV 劑量 +17 通入大約 2mA水蒸氣 (水蒸氣大小會影響到 BOX厚度） 注意： 注入時 holder有 10176。 偏轉(zhuǎn)目的是為了防止溝道效應(yīng)能量 190keV影響注入深度 溫度 520℃ 是為了在通入水蒸氣時將片子表面氧化 形成氧化層從而保護硅片表面減少頂層硅缺陷 同時在降溫過程中硅片本 身有自退火修復(fù)一部分打亂的晶格 Confidential HD產(chǎn)品流程 一次注入后顆粒測試目檢 ? 注入后顆粒測試： 程序： 8寸為 8H
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