silvaco工藝仿真ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 局部溫度在物理常數(shù)上的效應(yīng)。熱學(xué)和電學(xué)物理效應(yīng)通過自恰計算耦合。 Giga2D/3D是 ATLAS器件仿真系統(tǒng)中一個完全集成的組件。 Giga2D/3D提供一個理想的環(huán)境，用于設(shè)計和優(yōu)化那些使用 MOS、雙極和混合 MOS雙極技術(shù)制造的功率器件。其他通用的應(yīng)用包括靜電放電保護(hù)的特性表征， HBT, HEMT和 SOI器件的設(shè)計，熱破壞分析和熱沉設(shè)計等。 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 量子仿真器： Quantum提供一套強(qiáng)大的模型用來仿真半導(dǎo)體器件中各種載流子量子限制效應(yīng)。自恰SchrodingerPoisson解算器允許自恰半導(dǎo)體器件中靜電勢，從而計算界態(tài)能量和連帶載流子波函數(shù)。量子力矩傳輸模型可以仿真量子限制作用對載流子輸運的影響。 Van Dort和 Hansch模型提供了對MOS器件的限制作用的半經(jīng)驗式仿真。多量子阱(MQW)提供了專用模型，用于光發(fā)射器件中的增益和自發(fā)復(fù)合。 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 噪聲仿真器： Noise與 SPisces或 Blaze配合使用 ,允許分析半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生的小信號噪聲。 Noise對于小信號噪聲精確的特性表征和靈敏度的提取是優(yōu)化電路的基礎(chǔ)。 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD TonyPlot 2D/3D交互式可視應(yīng)用程序 ?卓越的圖形分析工具是快速成型和開發(fā)工藝及器件設(shè)計之關(guān)鍵所在 ?共用的可視工具貫穿 Silvaco TCAD所有產(chǎn)品 ?提供完整的性能用于查看和分析仿真器輸出結(jié)果 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 調(diào)用命令： go athena go atlas 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 網(wǎng)格命令： line x loc= spac= line x loc= spac= line x loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 定義初始襯底命令： initial silicon structure with 100 orientation init silicon = orientation =100 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 存儲中間結(jié)果命令： struct outfile= 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 柵氧化命令： gate oxidation diffus time=11 temp=950 dryo2 press= =3 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 參數(shù)提?。? extract name=Gateoxide thickness material=Sio~2 =1 = 電子設(shè)計自動化 第 4章 工藝及器件仿真 SILVACO TCAD 命令講解： 離子注入： threshold Voltage Adjust Implant implant boron dose= energy
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