nmr碳譜ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-11 18:15本頁(yè)面
【正文】 ， ?芳香烴： ?基本化學(xué)位移值在 ~?35 ?原位影響 鄰、對(duì)位 間位 ?取代基電負(fù)性的影響：化學(xué)位移隨著電負(fù)性提高 ?空間效應(yīng)和重原子效應(yīng)與烷烴相同 ?中介 (mesomeric)效應(yīng)：即共振或共軛效應(yīng)，給電子效應(yīng)使鄰、對(duì)位化學(xué)位移減小，反之，化學(xué)位移增大 。 可能結(jié)構(gòu)為： HHHO C H 3計(jì)算確證： ， ， ， ， ， B中含有 3個(gè)甲基，一個(gè)次甲基，不飽和碳上僅有一個(gè)氫，證明含有一個(gè)羥基（？） 。 A:， ， ， ， ， B:， ， ， ， ， ： UN=1，含有一個(gè)碳碳雙鍵（為什么？） （為什么？） ，四個(gè)飽和碳（？） ， 3個(gè)亞甲基，不飽和碳上分別有一個(gè)氫和兩個(gè)氫，表明雙鍵處在一端，單取代。 ? 取代烯烴的化學(xué)位移值可以計(jì)算，取代基位移參數(shù)見(jiàn)表 411。 ?取代基大小的影響：大體積取代基趨向提高化學(xué)位移值。 ? 例一： 計(jì)算（ CH3)2CHCH2CH2OH化學(xué)位移 δC1=++*+0= δC2=+*3+= δC3=+*2+*+10= δC4=++*2+48= 例二：計(jì)算 CH3CH2CHOHCH2CH3 δC1=+++= δC2=+*2++8= δC3=+*2+*2+41= CH C O HC H 2 C H2C H 2C H 3CH 3C H 3C H 2CH 3δCf=+*3+*** +41 = ?環(huán)烷烴的化學(xué)位移： 基本影響因素與鏈狀烷烴相同，計(jì)算基本參數(shù)見(jiàn)表 48(p148)，取代參數(shù)見(jiàn)表 49（ p149)。 OOHOO OOH1 9 1 .5 1 9 6 .91 9 5 .72 0 4 .1溶劑對(duì)化學(xué)位移的影響 溶劑 C1 C2,6 C3,5 C4 CCl4 (CD3)2CO (CD3)2SO CH3COOH 654321N H2常見(jiàn)化合物 13C化學(xué)位移范圍 化合物類(lèi)型 化學(xué)位移范圍 烷烴 烯烴和芳香烴 炔烴 疊烯 羰基 050 100150 5080 200 200 詳細(xì)有機(jī)化合物碳核磁共振化學(xué)位移見(jiàn) p143 第四節(jié)：飽和烷烴的化學(xué)位移 直鏈狀烷烴 13C的化學(xué)位移 烷烴 C1 C2 C3 C4 C5 CH4 C2H6 C3H8 C4H10 C5H12 C6H14 C7H16 C8H18 C9H20 C10H22 取代烷烴的 13C化學(xué)位移 計(jì)算公式： ? ???? jjijC SAnB )(?B為基本值，與化合物類(lèi)型相關(guān)，對(duì)于烷烴為 ； A為取代參數(shù)，與取代基種類(lèi)和取代位臵相關(guān)； S為修正系數(shù)，與化合物的結(jié)構(gòu)特征相關(guān)。 ? 重原子效應(yīng)：碘和溴等重原子產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，化學(xué)位移減小 ,其中 CI4的化學(xué)位移可以達(dá)到 292ppm。 ? γ 旁式效應(yīng)：取代基由于空間效應(yīng)使 γ 碳化學(xué)位移減小。 ? CH3I , CH3Br, CH3Cl, CH3F ? , ? CH4 CH3Cl, CH2Cl2, CHCl3, CHCl4 ? , 52 77 96 隨著距離加大，影響變?。ǜ羲膫€(gè)鍵以后忽略），一般來(lái)說(shuō) ?碳影響最大， ?碳提高化學(xué)位移 10左右， ?碳比較特殊，受空間效應(yīng)影響，化學(xué)位移下降， ?以后各碳影響很小?？膳c其紫外可見(jiàn)光譜特征比照。 ?連接電負(fù)性基團(tuán)時(shí)，分子軌道收縮， r減小，化學(xué)位移 δ 增大。 CS2和溶劑峰也可以作為參考值。 ?鎖頻技術(shù)是指在進(jìn)行疊代累加過(guò)程中，將掃描頻率鎖定的方法，通常用已知溶劑峰吸收頻率作為參考標(biāo)準(zhǔn)。 吸收（反轉(zhuǎn)）門(mén)控去耦方法：在 13C共振吸收時(shí)施加去耦信號(hào) 效果：消除耦合信息，同時(shí)消除信號(hào)增強(qiáng)效應(yīng)（保留峰高與碳原子數(shù)目正比關(guān)系）。 ?：控制去耦時(shí)間的一種方法，有發(fā)射門(mén)控和接受門(mén)控兩種，目的是消除 overhauser效應(yīng)，獲得碳核的定量數(shù)據(jù)（峰高與碳核數(shù)目成正比）。 ?：是一種部分去耦技術(shù)，目的是降低耦合常數(shù)，獲得與碳直接相連氫核的數(shù)目信息，效果與DEPT技術(shù)相同。會(huì)
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