【正文】 1 0 1 0 300 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 400 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 16 500 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 599 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 ISD2560/90/120P 地址功能表 地址狀態(tài) 功能狀態(tài) DIP 開關 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 （ ON=0， OFF=1） 地址位 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 P/R CE （ 1為高電平， 0為低電平， *為高或低電平） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 一段式最長 60 秒錄放音，從首地址開始。放音的操作更為簡單，按下錄音鍵接高電平，使 P/D端 P/R端為低電平啟動方音功能；結束時，松開按鍵，即完成一段語音的播放。同樣的方法可錄取第二段、第三段等。操作模式可由微控制器也可有硬件實現(xiàn)。操作模式也有地址端控制；當最高位都為 1時，其他地址端最高就選擇某個模式。 ISD2560控制電平與TTL電平兼容，接口簡單，使用方便。 ISD2560集成度高，內部包括前置放大器、內部時鐘、定時器、采樣時鐘、濾波器、自動增益控制、邏輯控制、模擬收發(fā)器、解碼器、和 480KB 的 EERPOM等。 14 內部時鐘 定時器采樣時鐘放大器放大器前置防混淆濾波器自動增益控制 解碼器模擬收發(fā)器存儲器陣列平滑濾波器（ AGC ）電 源 地 址 緩 沖 器 器件控制線混合揚聲器驅動器X C L KA N A I NA N A O U TM I CM I C R E FA G CV c c A V s s A V s s D V c c D A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 PD O V F P / R CE E O M A U X I NS P +S P 模擬輸入A91 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213141516171819202122 2324 25262728480K ISD2560封裝引腳圖如下： ISD2560是 ISD系列單片語音錄放集成電路的一種，是一種永久記憶型錄放語音電路 ，錄音時間為 60秒，能重復錄放達 10萬次。當最高兩位中有個為零時，所有輸入均解釋為地址位，做為當前錄入操作的起始地址。 ? 地址 /模式輸入： AX/MX。本端捏部有下拉元件，不用時應接地。當多個 2560 級聯(lián)時，后級的喇叭輸出通過本端連接到本級的輸出放大器。 ? 輔助輸入： AUX IN。單端使用時必須在輸出端和喇叭間接耦合電容，而雙端輸出既不用電容又不能將功率提高至 4倍。 ? 喇叭輸出： SP+、 SP。本端為芯片錄音信號的輸出。前置放大器的輸出，前置電壓增益取決于 AGC端電平。 AGC動態(tài)調整前置增益以補償話筒輸入電平的寬度變化，使得錄制變化很大的音量（從耳語到喧囂聲）時失真都能保持很小。片內自動增益控制（ AGC）將置增益控制在 15DB至 24DB。 ? 麥克輸入： MIC。 ? 溢出標志： OVF。放音遇到 EOM時，本端輸出低電平脈沖。 ? 信息結尾標志： EOM。本端狀態(tài)在 /CE的下降沿鎖存。芯片在本端的下降沿鎖存地址線和 P/R端的狀態(tài)。、 ? 片選： CE。 ? 節(jié)能控制： PD。 13 ? 地線： VSSD、 VSSA。芯片內部的模擬和數(shù)字電路使用不同的電源總線。 最前面的 600個狀態(tài)作內部存儲器的尋址用，最后 256個狀態(tài)作為操模式。 ? 地址線： A0— A9。 （ c） .有 10個地址輸入端，尋址能力可達 1024位。 （ a） .ISD2560系列具有抗斷電，音質好，使用方便，無需專用的語音開發(fā)系統(tǒng)的特點。 (3).ISD2560的基本功能是什么？ 本電路將選擇美國 ISD公司的 2560語音芯片。 c. 控制簡單，控制管腳與 TTL電平兼容。目前，市場上的語音芯片和語音板很多，從價 格性能比上看，美國 isd公司的 ISD系列錄放芯片是比較好的，有以下特點： a. 使用直接電平存儲技術，省去了 A/D和 D/A轉換。另外芯片功能強大：既錄即放，語音可掉電保護， 10萬次的檫寫壽命，手動操作和 cpu控制兼容，可多片級聯(lián)，無須開發(fā)系統(tǒng)等，確實給欲實現(xiàn)語音功能的單片機應用設計人員提供了單片的解決方案。比較典型的有美國的 isd公司生產(chǎn)的 isd系列語音芯片。 3． C51程序：編寫定時一秒的程序，并在定時中斷來時間來時播放語音芯片中的內容。 功能模塊分為三個方面： 1． 單片機系統(tǒng)：輸出控制信號，控制語音芯片定時播放特定的語音。 ? 編程接口： Flash 閃速陣列中的每一代碼字節(jié)進行寫入且整個存儲器可在控制信號的正確組合下進行擦除，寫操作周期是自身定時的，初始化后它將自動定時到操作完成。 ? 讀片內簽名字節(jié)：除 、 被拉成邏輯低電平外，讀簽名字節(jié)的過程和單元 000H、001H及 002H的正常校驗相同，返回值意義如下： （ 000H） =1EH聲明產(chǎn)品有 ATMEL公司制造。 加密位不可直接校驗，加密位的校驗可通過對存儲器的校驗和寫入狀態(tài)來驗證。 4. 從 P1口讀取下一個代碼字節(jié)。 2. 對代碼數(shù)據(jù)加上正確的控制信號即可在 P1 口引腳上讀取數(shù)據(jù)。 ? Ready/busy:字節(jié)編程的進度通過“ RDY/BSY輸出信號監(jiān)測，編程期間， 高“ H”后被拉低來指“ BSY”， “ H”來指示“ RDY”。 10．下電次序： 置 XTAL1為低“ L”電平 置 RST為“ L”電平 9 置空所有其它 I/O引腳 關閉 VCC電源 ? 數(shù)據(jù)查詢： AT89C2051 具有寫周期結束的數(shù)據(jù)查詢功能，在寫周期期間，對最后寫入的字節(jié)嘗試讀降令 上寫入數(shù)據(jù)的操作結束。 8．對下一地址單元編程字節(jié)，使 XTAL1引腳正脈沖跳變依次使地址計數(shù)器加 1，在 P1口輸入新的書字節(jié)。 6．使 PEROM陣列中的一字節(jié) 或者加密位，寫字節(jié)周期是自身定時的，一般需時 。 表 1— 4 編程和校驗方法如下： 4．在 000H地址單元對 。 2. 置 RST引腳為高電平，置 。 設置 RST和 XTAL1為 GND電平。 ? 編程方法：要對 AT89C2051進行編程，使用以下方法。 AT89C2051內 FLASH閃存儲器的編程和校驗如圖。 表 1— 3 ? Flash閃速存儲器的編程： AT89C2051是在擦除狀態(tài)下（ 也即所有單元內容均為 FFH時）用 2K字節(jié)內 PEROM代碼存儲陣列進行封裝微控制器，其程序存儲器是可反復編程的。退出掉電模式的唯一方法是硬件復位，復位后將重新