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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的語(yǔ)音錄放系統(tǒng)設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧資料

2025-06-28 17:42本頁(yè)面
  

【正文】 計(jì)完單片機(jī)系統(tǒng),并在實(shí)驗(yàn)室調(diào)試成功后,在現(xiàn)場(chǎng)卻出現(xiàn)了“死機(jī)”、“程序走飛”等現(xiàn)象,這主要是單片機(jī)的復(fù)位電路設(shè)計(jì)不可靠引起的。無(wú)論用戶使用哪種類型的單片機(jī),總要涉及到單片機(jī)復(fù)位電路的設(shè)計(jì)。因而復(fù)位是一個(gè)很重要的操作,但單片機(jī)本身一般不能自動(dòng)進(jìn)行復(fù)位,必須配合相應(yīng)的外部電路才能實(shí)現(xiàn)。注意,錄音時(shí)間不能超過(guò)預(yù)先設(shè)置的每段語(yǔ)音時(shí)間。電路實(shí)現(xiàn)的功能如下。信號(hào)為一負(fù)脈沖,在負(fù)脈沖的上升沿,該段語(yǔ)音才播放結(jié)束,所以單片機(jī)必須要檢測(cè)到/EOM的上升沿才能播放第二段,否則播放的語(yǔ)音就不連續(xù),而且會(huì)產(chǎn)生啪啪聲。放音時(shí),根據(jù)需播放的語(yǔ)音內(nèi)容,找到相應(yīng)的語(yǔ)音段起始地址,并通過(guò)口線送出。同樣的方法可錄取第二段、第三段、 ……。本文采用第二種方式。二是語(yǔ)音字段如果較少,則可根據(jù)每一字段的內(nèi)容多少,直接分配地址單元。 其實(shí)現(xiàn)方式有兩種:一是由于ISD2560的地址分辨率為100 ms,所以可用單片機(jī)內(nèi)部定時(shí)器定時(shí)100 ms,然后再利用一計(jì)數(shù)器對(duì)單片機(jī)定時(shí)次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù),則計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為語(yǔ)音段所占用的地址單元。ISD2560內(nèi)部地址單元尋址ISD2560雖然提供了地址輸入線,但它的內(nèi)部信息段的地址卻無(wú)法讀出。PD(停止/復(fù)位,高脈沖有效):PD端的上升沿停止妝前錄/放操作,并復(fù)位地址。暫停后,地址并不復(fù)位,再來(lái)一個(gè)/CE下之后,如果在芯片沒(méi)遇到EOM標(biāo)志(放音時(shí))或沒(méi)發(fā)當(dāng)芯片不錄不放時(shí),動(dòng)進(jìn)入節(jié)電模式。非M4也是高。/CE再變低后。操作為:/CE變低扣,芯本模式將放音數(shù)器復(fù)位,使得信息可連續(xù)錄放或重放。地址計(jì)數(shù)器會(huì)復(fù)位。間,那么循環(huán)就從頭至尾進(jìn)行,這進(jìn)/OVF不變低。M3(信息循環(huán)):循環(huán)重入位于存儲(chǔ)空間起始處的那條信息。完成后,/CE每輸入一個(gè)低脈沖,內(nèi)部地址計(jì)器就跳到下一條信息,此模式僅用于放音,M4同時(shí)使用。MMMM6M3循環(huán)從0地址連續(xù)放音MMM6M4連續(xù)尋址錄放連續(xù)的多段信息M0、MM5M5/CE電平有效允許暫停M0、MMM4M6按鍵模式直到CE再次由高變低,芯片重新鎖存當(dāng)前的地址/模式端電平并執(zhí)行相應(yīng)的操作為止(2)當(dāng)CE變低且最高兩地址位同為高時(shí),執(zhí)行操作模式。后續(xù)的操作根據(jù)選用的模式可從其它地址開(kāi)始。操作模式可由微控制器也可由硬件實(shí)現(xiàn)。操作模式也由地址端控制;當(dāng)最高兩位都為1時(shí),其它地址端置高可選擇某個(gè)(或某幾個(gè))特定模式。如果/CE一直為低,或芯片工作在某些操作模式,放音會(huì)忽略EOM,繼續(xù)進(jìn)行下去。錄音時(shí),由地址端提供起始地址,錄音持續(xù)到/CE或PD變高,或內(nèi)存溢出;如果是前一種情況,芯片自動(dòng)在錄音結(jié)束處寫入EOM標(biāo)志。27P/R本端狀態(tài)在/CE的下降沿鎖存。26XCLK外部時(shí)鐘。放音遇到EOM時(shí),本端輸出低電平脈沖。24PD本端拉高使芯片停止工作, 進(jìn)入不耗電的節(jié)電狀態(tài),芯片發(fā)生溢出,即/OVF端輸出低電平后,要將本端短暫變高復(fù)位芯片,才能使之再次工作。23/CE本端變低后(而且PD為低),允許進(jìn)行錄放操作。22/OVF芯片處于存儲(chǔ)空間末尾時(shí)本端輸出低電平脈沖表示溢出,之后本端狀態(tài)跟隨/CE端的狀態(tài),直到PD端變高。對(duì)話筒輸入來(lái)說(shuō)ANA OUT端應(yīng)通過(guò)外接電容連至本端。釋放時(shí)間取決于本端外接的并聯(lián)對(duì)地電容和電阻(即圖2中R5和C2)的時(shí)間常數(shù)。19AGCAGC動(dòng)態(tài)調(diào)整前置增益以補(bǔ)償話筒輸入電平的寬幅變化,使得錄制變化很大的音量時(shí)失真都能保持最小。18MIC REF本端是前置放大器的反向輸入。16,28VCCA、VCCD模擬電源、數(shù)字電源,盡可能在靠近供電端處相連。12,13VSSD、 VSSA數(shù)字地和模擬地,這兩腳最好在引腳焊盤上相連。本例選用SOIC封裝。(5)信息可無(wú)電保存100年。ISD2560可不分段,也可按最小段長(zhǎng)為單位來(lái)任意組合分段。此外,ISD2560還具備微控制器所需的控制接口。ISD2560省去了A/D和D/A轉(zhuǎn)換器,集成度較高,內(nèi)部包括前置放大器、內(nèi)部時(shí)鐘、定時(shí)器、采樣時(shí)鐘、濾波器、自動(dòng)增益控制、邏輯控制、模擬收發(fā)器、解碼器和480KB的ROM。 語(yǔ)音芯片ISD2560簡(jiǎn)介該芯片采用多電平直接模擬量存儲(chǔ)專利技術(shù),每個(gè)采樣值可直接存儲(chǔ)在片內(nèi)單個(gè)ROM單元中,因此能夠非常真實(shí)、自然地再現(xiàn)語(yǔ)音、音樂(lè)、音調(diào)和效果聲,從而避免了一般固體錄音電路因量化和壓縮造成的量化噪聲和“金屬聲”,該器件的采樣頻率為8kHz,同一系列的產(chǎn)品采樣頻率越低,錄放時(shí)間越長(zhǎng),但通用頻帶和音質(zhì)會(huì)有所降低。 (5)能較好地真實(shí)再現(xiàn)語(yǔ)音的自然效果,避免了一般固體語(yǔ)音電路因?yàn)榱炕蛪嚎s所造成的量化噪聲和失真現(xiàn)象。 (2)內(nèi)部集成了大容量的EEPROM,不再需要擴(kuò)展存儲(chǔ)器。ISD2560具有10個(gè)地址輸入端,尋址能力可達(dá)1024位,前600個(gè)地址用于直接存取語(yǔ)音,地址600~767未使用,地址768~1024為工作模式選擇用,因此最多能分600段;設(shè)有OVF(溢出)端,便于多個(gè)器件級(jí)聯(lián);單片存儲(chǔ)時(shí)間為60秒,直接存儲(chǔ)模擬語(yǔ)音信號(hào)。在只需要播放語(yǔ)音信息的應(yīng)用系統(tǒng)中,可直接外接揚(yáng)聲器,而無(wú)需外接其它器件。在一塊芯片上集成有麥克風(fēng)前置放大器、自動(dòng)增益控制電路、抗混淆和平滑濾波器、模擬存儲(chǔ)陣列、揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器、控制接口和內(nèi)部精確的參考時(shí)鐘。ISD芯片的地址以信息段為基本組成單元,只要在分段錄、放音操作前(不少于300ns),給地址A0~A9賦值,錄音及放音功能均會(huì)從設(shè)定的起始地址開(kāi)始,錄音結(jié)束由錄音鍵操作決定,芯片內(nèi)部自動(dòng)在該段的結(jié)束位置插入結(jié)束標(biāo)志(EOM);而放音時(shí)芯片遇到EOM標(biāo)志即自動(dòng)停止放音。每個(gè)采樣值直接存儲(chǔ)在片內(nèi)單個(gè)EEPROM單元中,因此能夠非常真實(shí)、自然地再現(xiàn)語(yǔ)音、音樂(lè)、音調(diào)和效果聲,避免了一般固體錄音電路因量化和壓縮造成的量化噪聲和“金屬聲”本例即采用這種模擬語(yǔ)音數(shù)據(jù)直接存儲(chǔ)語(yǔ)音芯片設(shè)計(jì)基于單片機(jī)的語(yǔ)音錄放系統(tǒng)。錄音時(shí)間為60s,能重復(fù)錄放達(dá)10萬(wàn)次。本文所設(shè)計(jì)的錄放及循環(huán)放音系統(tǒng),其微控制器采用的是美國(guó)ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓、高性能8位CMOS單片機(jī)AT89C51,片內(nèi)含8k字節(jié)的可反復(fù)擦寫的Flash只讀程序存儲(chǔ)器和256字節(jié)的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲(chǔ)單元,適合
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