真空蒸發(fā)ppt課件(2)-文庫吧資料
2025-05-10 07:25本頁面
【正文】 使用高真空技術(shù) 。 每秒鐘蒸發(fā)淀積在 1cm2基片表面的粒子數(shù)用膜厚淀積速率 Rd表示。 可解決分餾問題，排氣比較困難 大多數(shù)化合物蒸發(fā)時會全部分解或部分分解，所以難以鍍制出組分符合化學(xué)比的鍍層。 影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素主要有蒸發(fā)源的溫度、蒸發(fā)源的形狀、基片的位置、真空度等。 加熱方式可以多種多樣。 真空蒸發(fā) 鍍膜 真空蒸發(fā)鍍膜 (蒸鍍 )是在真空條件下，加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之 氣化 并淀積在基片表面形成固體薄膜，是一種物理現(xiàn)象。金屬有機(jī)源 CVD(MOCVD) ?技術(shù)特點(diǎn)：薄膜質(zhì)量高，致密，可控性好， ?其它成膜技術(shù)：液相外延 (LPE)，電沉積，溶膠凝膠 (solgel)，自組裝， spincoating，化學(xué)浴沉積 (CBD)等。 ?化學(xué)氣相沉積 (CVD) ?化學(xué)氣相沉積 : 沉積過程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，薄膜與原料的化合狀態(tài)不一樣。第八章 薄膜制備技術(shù) 直流濺射 射頻濺射 磁控濺射 離子束濺射 真空 蒸發(fā) 濺射 沉積 離子鍍 物理氣相沉積 （ PVD） 化學(xué)氣相沉積 （ CVD） 分子束外延 （ MBE） 氣相沉積 電 鍍 法 溶膠 凝膠法 電阻加熱 感應(yīng)加熱 電子束加熱 激光加熱 直流二極型離子鍍 射頻放電離子鍍 等離子體離子鍍 HFCVD PECVD LECVD …… DC RF MW ECR 熱壁 冷壁 ?物理氣相沉積 (PVD) ?物理氣相沉積 :薄膜材料 主要 通過物理 過程 輸運(yùn)到基體表面的鍍膜方法 ； ?通常是固體或熔融源； ?在氣相或襯底表面沒有化學(xué)反應(yīng)； ?代表性技術(shù)：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜； ?技術(shù)特點(diǎn)：真空度高、沉積溫度低、設(shè)備相對比較簡單。薄膜質(zhì)量差，可控度小、表面容易不均勻。 ?代表性技術(shù)：低壓 CVD(LPCVD), 常壓 CVD APCVD, 等離子體增強(qiáng) CVD (PECVD)。 ?新的薄膜制備技術(shù)： ?以蒸發(fā)沉積為基礎(chǔ)發(fā)展出了電子束蒸發(fā)沉積 、 分子束外延薄膜生長 (MBE)、 加速分子束外延生長 (MBE)； ?以載能束與固體相互作用為基礎(chǔ) , 先后出
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