真空蒸發(fā)ppt課件(2)-wenkub
2023-05-19 07:25:52 本頁面
【正文】 ?hlddh l 2． 面蒸發(fā)源 2 2coscos)1(rnMdAMd ness?????面蒸發(fā)源的特性 當(dāng) n=1時 222011????????hldd點源和面源的比較 ： 面源： 222011????????hldd點源： 2/32011????????????????hldd1) 兩種源的相對膜厚分布的均勻性都不理想； 2) 點源的膜厚分布稍均勻些； 3) 在相同條件下， 面源的中心膜厚為點源的 4倍。 adAe MRNR ??TMRMPCgdagi 2????則室溫下沉積 Sb 膜中的最大氧含量 2OP(Torr) 沉積速率 Rd (197。 ln BPA T??ln p ∽ T 曲線 金屬材料 ln p ∽ T 曲線 無機(jī)非金屬材料 其它解決方案： ? 源的總量非常大； ? 多蒸發(fā)源 (MBE)； ? 瞬時蒸發(fā)； ? 多層膜擴(kuò)散合金化。 廣泛地應(yīng)用在機(jī)械、電真空、無線電、光學(xué)、原子能、空間技術(shù)等領(lǐng)域。 ?代表性技術(shù)：低壓 CVD(LPCVD), 常壓 CVD APCVD, 等離子體增強(qiáng) CVD (PECVD)。第八章 薄膜制備技術(shù) 直流濺射 射頻濺射 磁控濺射 離子束濺射 真空 蒸發(fā) 濺射 沉積 離子鍍 物理氣相沉積 （ PVD） 化學(xué)氣相沉積 （ CVD） 分子束外延 （ MBE） 氣相沉積 電 鍍 法 溶膠 凝膠法 電阻加熱 感應(yīng)加熱 電子束加熱 激光加熱 直流二極型離子鍍 射頻放電離子鍍 等離子體離子鍍 HFCVD PECVD LECVD …… DC RF MW ECR 熱壁 冷壁 ?物理氣相沉積 (PVD) ?物理氣相沉積 :薄膜材料 主要 通過物理 過程 輸運(yùn)
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