【摘要】模電復(fù)習(xí)資料第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。
2025-04-23 04:47
【摘要】1第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是
2024-11-15 06:41
【摘要】第一篇:南京工業(yè)大學(xué)模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第一章半導(dǎo)體二極管 (如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 。 、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻...
2024-11-13 06:39
【摘要】本文檔由十月團(tuán)隊(duì)收集制作緒論一.符號約定·大寫字母、大寫下標(biāo)表示直流量。如:VCE、IC等?!ば懽帜?、大寫下標(biāo)表示總量(含交、直流)。如:vCE、iB等?!ば懽帜浮⑿懴聵?biāo)表示純交流量。如:vce、ib等。·上方有圓點(diǎn)的大寫字母、小寫下標(biāo)表示相量。如:等。二.信號(1)模型的轉(zhuǎn)換
2025-04-23 04:37
【摘要】模擬電路復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)方法:1、掌握基本理論:二極管、三極管的特點(diǎn)和用途,反饋的定義、分類、判斷,功率放大的原理與分類,濾波器的基本原理,波形發(fā)生器的原理與能否起震的判斷,直流電源的基本原理及構(gòu)成。2、掌握的計(jì)算:三極管放大電路的靜態(tài)、動態(tài)分析,集成遠(yuǎn)放的相關(guān)計(jì)算,振蕩電路頻率計(jì)算,直流電源的簡單計(jì)算。3、除開本次提供的例題外同學(xué)們要重點(diǎn)復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)課本習(xí)題。習(xí)題一、半導(dǎo)體二極管
2025-03-31 04:55
【摘要】半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體
【摘要】華成英2022/11/22模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華大學(xué)華成英華成英2022/11/22緒論一、電子技術(shù)的發(fā)展二、模擬信號與模擬電路三、電子信息系統(tǒng)的組成四、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn)五、如何學(xué)習(xí)這門課程六、課程的目的七、考查方法華成英2022/11/22一、電
2024-08-28 22:39
【摘要】模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)期 末 復(fù) 習(xí)模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)通 知期末考試時(shí)間:12月26日(星期一)上午8:30~10:30 地點(diǎn):力行樓2304教室 主要內(nèi)容:第2章、第6~10章模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)第十章 直流電源重點(diǎn): 直流穩(wěn)壓電源的組成及各部分的作用①電源變壓器(或分壓電路):將
2025-02-04 19:30
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)題知識點(diǎn):基礎(chǔ)知識數(shù)制轉(zhuǎn)換1.()10=()2=()162.(3AB6)16=(0011101010110110)2=(35266)83.()10=()2=()164.()16=(010000110010.10110111)2=(2062.556)85.(100001000)BCD=(
2024-11-15 07:12
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P
2024-11-02 11:37
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-23 04:27
【摘要】?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?(A)卷第1頁共6頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》試卷及參考答案1、在本征半導(dǎo)體中加入元素可形成N型半導(dǎo)體,加入元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)2、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
2024-11-14 05:05
【摘要】電工電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料一、填空練習(xí)題1、正弦電壓和電流統(tǒng)稱為正弦量,正弦量的特征分別用幅值、角頻率和初相位來表示。2、晶體三極管是由_三__個(gè)電極、__兩___個(gè)PN結(jié)組成的,按結(jié)構(gòu)不同可分為__NPN_______型和___PNP___型兩大類。3、理想電壓源具有兩個(gè)基本特征,其
2025-04-23 07:39
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料一、簡答題1、晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?(1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓(2)晶閘管門極和陰極之間必須施加適當(dāng)?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實(shí)現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(fù)(2)整流器直流側(cè)有直流電動勢,其極性必須和晶閘管導(dǎo)通方向一致,其幅值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓
2024-08-24 03:32
【摘要】第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-23 01:43