【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-23 04:21
【摘要】電工電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料一、填空練習(xí)題1、正弦電壓和電流統(tǒng)稱為正弦量,正弦量的特征分別用幅值、角頻率和初相位來(lái)表示。2、晶體三極管是由_三__個(gè)電極、__兩___個(gè)PN結(jié)組成的,按結(jié)構(gòu)不同可分為_(kāi)_NPN_______型和___PNP___型兩大類(lèi)。3、理想電壓源具有兩個(gè)基本特征,其
2025-04-23 07:39
【摘要】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料一、簡(jiǎn)答題1、晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?(1)晶閘管陽(yáng)極和陰極之間施加正向陽(yáng)極電壓(2)晶閘管門(mén)極和陰極之間必須施加適當(dāng)?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實(shí)現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(fù)(2)整流器直流側(cè)有直流電動(dòng)勢(shì),其極性必須和晶閘管導(dǎo)通方向一致,其幅值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓
2024-08-24 03:32
【摘要】第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-23 01:43
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(脈沖)復(fù)習(xí)題1一、填空題1、數(shù)字量取值是離散的,我們常用________和_______兩個(gè)數(shù)字來(lái)表示輸入和輸出信號(hào)的狀態(tài)。2、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1)()10=()2 (2)(4F)16=()10(3)()2=()103、邏輯代數(shù)的三種基本運(yùn)算是________、_____
2025-04-23 01:11
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2024-08-24 02:51
【摘要】迎考要點(diǎn)?一、考試題型及分值分配?1、選擇填空題(基本概念,10%分值)?2、計(jì)算題(各種電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)計(jì)算55%分值)?3、分析題(給定電路,讓學(xué)生分析原理并對(duì)主要關(guān)鍵數(shù)據(jù)進(jìn)行估算15%分值。兩個(gè)大題:例如聲光控路燈控制器工作原理等類(lèi)似分析等參照教材上面每章后面的分析題。)?4、綜合設(shè)計(jì)題(給定功能
2025-01-06 09:11
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)一、主要知識(shí)點(diǎn)總結(jié)和要求1.?dāng)?shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進(jìn)制、2進(jìn)制、8進(jìn)制、16進(jìn)制、8421BCD、格雷碼之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門(mén)電路:(1)基本概念
2025-06-11 21:22
【摘要】......電子技術(shù)B復(fù)習(xí)資料整理濟(jì)南大學(xué)2008-2009學(xué)年第一學(xué)期考試試卷(A卷) 2濟(jì)南大學(xué)2008-2009學(xué)年第一學(xué)期電子技術(shù)(A卷)答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn) 5濟(jì)南大學(xué)2010~2011學(xué)年第一學(xué)期課程考試試卷(A卷) 9濟(jì)南
2025-04-23 06:56
【摘要】中國(guó)石油大學(xué)(華東)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育《數(shù)字電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章一、填空題(每空2分)。1.22=()2。2.=()2。3.16)9(A=()2。4
2024-11-15 10:37
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)題知識(shí)點(diǎn):基礎(chǔ)知識(shí)數(shù)制轉(zhuǎn)換1.()10=()2=()162.(3AB6)16=(0011101010110110)2=(35266)83.()10=()2=()164.()16=(010000110010.10110111)2=(2062.556)85.(100001000)BCD=(
2024-11-15 07:12
2025-04-23 01:44
【摘要】我的目的不是教你們?nèi)绾螒?yīng)付考試,甚至不是讓你們掌握這些知識(shí),以便更好地為今后你們面臨的工業(yè)或軍事工作服務(wù)。我最希望的是,你們能夠像真正的物理學(xué)家一樣,欣賞到這個(gè)世界的美妙。物理學(xué)家們看待這個(gè)世界的方式,我相信,是這個(gè)現(xiàn)代化時(shí)代真正文化內(nèi)涵的主要部分。也許你們學(xué)會(huì)的不僅僅是如何欣賞這種文化,甚至也愿意參加到這個(gè)人類(lèi)思想誕生以來(lái)最偉大的探索中來(lái)。
2025-03-28 02:16
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的
2024-11-14 03:05
【摘要】......《電力電子技術(shù)》課程綜合復(fù)習(xí)題一、填空題1、普通晶閘管的圖形符號(hào)是,三個(gè)電極分別是,和。2、逆變是指將變?yōu)?/span>
2025-04-23 06:46