楊素行模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_免費(fèi)_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)答案電子-文庫(kù)吧資料
2024-11-15 06:41本頁(yè)面
【正文】 抑制作用，被稱(chēng)為“共模反饋電阻”。 多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。 多采用共射 (或共源 )放大電路，以提高放大倍數(shù)。 3. β =β 1 四 . 復(fù)合管的組成及特點(diǎn) 1. 前一個(gè)管子 ce極跨接在后一個(gè)管子的 bc 極間。 ? 甲乙類(lèi)單電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器 OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為 VCC/2，并且取代了 OCL功放中的負(fù)電源 VCC。 2. 解決辦法 ? 甲乙類(lèi)雙電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器 OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 導(dǎo)通角為 180o~360o，效率較高，失真較大。 2．低頻段 (f ≤ fL) ‘ 3．高頻段 (f ≥ fH) 4．完整的基本共射放大電路的頻率特性 12 三 . 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率 響應(yīng) 1．下限頻率的估算 2．上限頻率的估算 四 . 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1. 頻響表達(dá)式 2. 波特圖 13 第五章 功率放大電路 一 . 功率放大電路的三種工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為 360o， ICQ大，管耗大，效率低。 *零點(diǎn)漂移 當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使 uo 偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。但不便于集成，低頻 特性差。轉(zhuǎn)移特性曲線上 iD=0 處的值是夾斷電壓 UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào) 2. 特性曲線 *NEMOS 的輸出特性曲線 * NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO是 UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的 iD值。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算 （ 2） Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使 Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足 RB＞ β Rc 。 5 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＜（ VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制， UOPP=2UOMAX=2 （ UCEQ－ UCES）。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 （ 2） 飽和失真 *產(chǎn)生原因 Q 點(diǎn)設(shè)置過(guò)高 *失真現(xiàn)象 NPN 管削底， PNP管削頂。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q 點(diǎn)設(shè)置過(guò)低 *失真現(xiàn)象 NPN 管削頂， PNP管削底。 *作用 分析信號(hào)被放大的過(guò)程。 3）改變 VCC：直流負(fù)載線平移， Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 *電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 1）改變 Rb ： Q 點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。 *畫(huà)法 電容視為開(kāi)路。 能放大、不失真、能傳輸。 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC以及 β 均增加。 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)反偏，集 電結(jié)反偏。 3. 共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 基 區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 *三種模型 ? 微變等效電路法 三 . 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性 正常工作時(shí)處在 PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 2 2) 等效電路法 ? 直流等效電路法 *總的 解題手段 將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽(yáng) V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 )。 若 V 陽(yáng) V 陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開(kāi)路 )。 *死區(qū)電壓 硅
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