模擬電子技術(shù)總結(jié)復(fù)習(xí)資料-文庫(kù)吧資料
2025-04-23 04:37本頁(yè)面
【正文】 性當(dāng)uI在+Uim與Uim之間，運(yùn)放工作在線(xiàn)性區(qū)域 ： 4. 理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法1. 理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征* 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞；* 差模輸入電阻 Rid→∞；* 輸出電阻 Ro→0；* 共模抑制比KCMR→∞；2. 理想集成運(yùn)放的分析方法 1) 運(yùn)放工作在線(xiàn)性區(qū):* 電路特征——引入負(fù)反饋* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短” “虛斷” 2) 運(yùn)放工作在非線(xiàn)性區(qū) * 電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+u時(shí)，uo=+Uom 當(dāng)u+u時(shí)，uo=Uom 兩輸入端的輸入電流為零: i+=i=0 放大電路中的反饋1. 反饋概念的建立＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ： 1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱(chēng)為負(fù)反饋。 二. 長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn)1. 抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程 當(dāng)T↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。 。β 2 集成運(yùn)算放大電路一. 集成運(yùn)放電路的基本組成，以減小零漂。2. 類(lèi)型取決于第一只管子的類(lèi)型。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類(lèi)狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。 216。 甲乙類(lèi)雙電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 理想狀態(tài)：Uom≈VCC 2. 輸出功率3. 直流電源提供的平均功率4. 管耗 Pc1m= % 三. 甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路1. 問(wèn)題的提出 在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。 任意狀態(tài)：Uom≈Uim 216。 導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。2．低頻段(f ≤fL)‘3．高頻段(f ≥fH)4．完整的基本共射放大電路的頻率特性三. 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率響應(yīng)1．下限頻率的估算 2．上限頻率的估算四. 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1. 頻響表達(dá)式 2. 波特圖 功率放大電路一. 功率放大電路的三種工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。 *零點(diǎn)漂移當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。但不便于集成，低頻特性差。轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線(xiàn)表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2. 特性曲線(xiàn)*NEMOS的輸出特性曲線(xiàn)* NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 六. 放大電路的等效電路法1. 靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿(mǎn)足RB＞βRc 。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真
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