【摘要】第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-23 01:43
【摘要】中國石油大學(xué)(華東)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育《數(shù)字電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章一、填空題(每空2分)。1.22=()2。2.=()2。3.16)9(A=()2。4
2024-11-15 10:37
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)題知識點(diǎn):基礎(chǔ)知識數(shù)制轉(zhuǎn)換1.()10=()2=()162.(3AB6)16=(0011101010110110)2=(35266)83.()10=()2=()164.()16=(010000110010.10110111)2=(2062.556)85.(100001000)BCD=(
2024-11-15 07:12
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)一、主要知識點(diǎn)總結(jié)和要求1.?dāng)?shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進(jìn)制、2進(jìn)制、8進(jìn)制、16進(jìn)制、8421BCD、格雷碼之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門電路:(1)基本概念
2025-04-23 01:44
【摘要】半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體
2025-04-23 04:37
2025-06-11 21:22
【摘要】模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)期 末 復(fù) 習(xí)模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)通 知期末考試時(shí)間:12月26日(星期一)上午8:30~10:30 地點(diǎn):力行樓2304教室 主要內(nèi)容:第2章、第6~10章模擬電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)第十章 直流電源重點(diǎn): 直流穩(wěn)壓電源的組成及各部分的作用①電源變壓器(或分壓電路):將
2025-02-04 19:30
【摘要】......《電力電子技術(shù)》課程綜合復(fù)習(xí)題一、填空題1、普通晶閘管的圖形符號是,三個(gè)電極分別是,和。2、逆變是指將變?yōu)?/span>
2025-04-23 06:46
【摘要】第一篇:數(shù)字電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料4 第四章自我檢查題 一、填空題 。2編碼器按功能不同分為三種:,:,,共輸出個(gè)最小項(xiàng)。 ,其輸出標(biāo)準(zhǔn)與或表達(dá)式共有 ,它們分別為,;輸出端有兩個(gè),分別為、7.?dāng)?shù)...
2024-11-09 22:13
【摘要】第一章填空題:。,電力電子器件功率損耗主要為_通態(tài)損耗_,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為_開關(guān)損耗。,一般由_主電路_、_驅(qū)動(dòng)電路_、_控制電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加_保護(hù)電路_。,電力電子器件可分為單極型器件、雙極型器件、復(fù)合型器件三類。。、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管。。、反向截止?!。⊿CR晶閘管),維持電流
2025-05-18 01:18
【摘要】......一.選擇填空1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于C,而少數(shù)載流子的濃度則與A有很大關(guān)系。2.P型半導(dǎo)體中空穴是A,帶C電;自由
2025-06-29 23:31
【摘要】2439電工電子技術(shù)-0002試卷總分:100答題時(shí)間:60分鐘客觀題單項(xiàng)選擇題(共8題,共40分)1.題圖所示電路為三個(gè)二端網(wǎng)絡(luò),其中可以相互等效變換。(a)(b)(c)A(a)和(b)B(b)和(c)C(a)和(c)參考答案:C;考生答案:B;試題分
2024-11-05 08:47
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(脈沖)復(fù)習(xí)題1一、填空題1、數(shù)字量取值是離散的,我們常用________和_______兩個(gè)數(shù)字來表示輸入和輸出信號的狀態(tài)。2、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1)()10=()2 (2)(4F)16=()10(3)()2=()103、邏輯代數(shù)的三種基本運(yùn)算是________、_____
2025-04-23 01:11
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2024-08-24 02:51
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-23 04:21