【正文】 ter(LPF),我的作法都是放在PLL的最下邊,同時,我會先計算MOSC的size與要畫的面積為何而整個PLL會以LPF的最大X軸作為邊界,然后往上畫PLL其他block所以必須綜合考慮！而嘉賓張世龍則建議，對于電荷放大器輸出電壓不歸零的現(xiàn)象，一般采用如下辦法來解決：但是反饋電阻太小的話，也會影響到放網(wǎng)友“camel”和“windman”還從數(shù)學分析的角度對造成零漂的原因進行了詳細分析，認為除了使干擾源漂移小以外還必須使傳感阻，為了放大器的工作穩(wěn)定，減少零漂，在反饋電容兩端并上電阻，形成直流負反饋可以穩(wěn)定放大器的直流工作點；3)可能挑選的運算放大器的輸入阻抗不夠高，如何解決運算放大器的零漂問題？分壓方式，必須考慮電源紋波對系統(tǒng)的影響，這種用法噪聲比較高，PSRR比較低。這種基準電壓使系統(tǒng)設計得到最小的噪聲和最高的PSRR。壓源好？有的網(wǎng)友建議用參考電壓源，理由是精度高，此外還能提供較低的交流旁路，有的網(wǎng)友建議用電阻，理由是成本低而且方便，對此，張世龍沒有特別指出用后級再進行2級放大，中間加入簡單的高通電路，抑制50Hz干擾。4)若選用非儀表運放，反饋電阻就不要太大了，M歐級好一些。如果對速度沒有多大的要求，運放也不貴。2)推薦加金屬屏蔽罩，將微弱信號部分罩起來(開個小模具)，金屬體接電路地，可以大大改善電路抗干擾能力。另有工程師朋友建議，在運放、電容、電阻的選擇和布板時，要特別注意選擇高阻抗、低噪聲運算和低噪聲電阻。電流轉電壓放大器需選用輸入偏置電流極低的運放。這種同步檢測電路類似于鎖相放大器結構，包括傳感器的方波激勵，電流轉電壓放大器，和同步解調三部分。如何完成信號放大？張世龍指出，對于微弱信號的放大，只用單個放大器難以達到好的效果，必須使用一些較特別的方法和傳感器激勵手段，而使用同步檢測電路結在運算放大器的實際應用中，設計工程師經(jīng)常遇到諸如選型、供電電路設計、偏置電路設計、PCB設計等方面的問題。用作比較器的運放只對輸入級要求較高，其它部分可靈活處理。電流偏置的管子單獨畫在一起，用guard匹配性要求高的管子盡量靠得近一些。對稱管的連線比較繞，連線的時候讓線從管子的外圍繞，盡量不要在中心繞線。具體做法是做二維的中心對稱，在輸入管的兩側加好dummy管，在最外圍加上厚一點的guard一般說來，這樣的效果會比較好，以往投片的畫法也都是這樣的，沒有出現(xiàn)什么問題，因此就一直繼承了這種畫法。振蕩器部分，rc振蕩器由兩個比較器，取樣電阻，和rc網(wǎng)絡組成，在輸出端會有rs觸發(fā)器和輸出驅動管。在bandgap靠近振蕩器的邊緣，擺放上取樣電阻，然后再用guard為了吸收來自電源的電壓波動帶來的影響，bandgap輸出會有一個減小電源波動的電路，其原理是比較bandgap的輸出和電源的取樣值，結果經(jīng)比較器送到電源的下拉管，如果電源取樣值高于bandgap輸出值，則下拉管打開，減弱電源，否則下拉管關閉。對于這樣的困擾，一般這樣處理。不幸的是，帶隙基準對周邊環(huán)境的要求高，不希望受到脈沖信號的干擾，而這樣的脈沖信號恰恰來自振蕩器，因此在模擬版圖當中這兩者的關系顯得比較微妙而且難以處理。但是PMOS的電容比NMOS的電容小，如果不考慮ESD的可靠性方面，單從電容濾波方面考慮的話，NMOS應該比PMOS好~模擬版圖中帶隙基準與振蕩器的關系在模擬電路中這兩者總是相生相依，電路都離不開時鐘，時鐘離不開振蕩器，振蕩器離不開偏置，偏置離不開電流源，電流源離不開帶隙基準，這一連串的連帶關系確定了這兩者不可分離。剩余空間加電源地線電容，加PMOS還是NMOS的簡單分析用PMOS做電容的時候，PMOS的NWELL與襯底（p型）形成一個反偏二極管，當?shù)鼐€上來一個瞬間大電流，能通過這個來對mos電容柵極進行保護。不過，目前工藝都有防護措施，比如使用在淀積鋁制前，淀積一層難溶阻擋金屬（各項同性淀積）來減小側壁的陡峭度，現(xiàn)在用的最多的好像是鎢塞。18甚至更大尺寸時，差不多不要跑SI，到了。18到。前端設計師只關心邏輯上是不是能實現(xiàn)他所要的功能，芯片的電氣特性需要后端工程師來把握。 u( B. N半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,MEMS為了防止這個寄生的三極管導通,應該怎么做呢?:一個是降低稱底的電阻,使三極管不容易導通,第二個是吸收多數(shù)載流子也就是空穴. 不知道有沒有必要在它們之間加一個NWELL環(huán),這樣會增加面積?為什么metal2的厚度會變?。∫恍├瞎に嚂驗槠教够龅牟缓?形成poly或 metal的臺階,所以上層的金屬在跨過這些部分的時候,厚度可能受到影響,從而影響過電流的能力,所以這部分金屬有過電流要求的時候盡量不要用Min. Width,可以適當加寬一點工藝進步對后端工作影響有多大后端工藝變化帶來的漏電流，功耗，以及整體設計上巨大的變化，從 .18 到 .09 可以說是革命性的變化， 以致后來的 .045 從設計上都可以說完全不同，很多甚至連物理原理都不一樣了，如出現(xiàn)了量子效應。摻雜濃度不同的，所以需要不同的mask來區(qū)分 　　　　　　?。遥啤。校粒臑槭裁炊加茫模桑希模牛縟iode用來做esd效率相對低一些，為了達到較強的效果，通常面積會很大。 Y* M3 I, ::微電中國網(wǎng) Vamp。::微電中國網(wǎng)amp。（Drain Induced Barrier Lowering）.* z* Q x9 T4 V0 R2 U) E/ z5 d: H8 _1 t: I! q( n2 _6 ^+ ::微電中國網(wǎng)L p9 s半導體,微電子,集成電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,MEMS E8V NLDD implantation）、PLL( PLDD implantation）NLH（ NLDD implatation）、PLH( PLDD implatation)、DG(Dual GATE)等層表示什么意思，該如何使用？LDD: Ligthly doped Drain 淺摻雜源漏amp。為方便更改連接，還是應該讓從spare cell輸入輸出pin引出的金屬線連接到頂層金屬層上。然而要能進行FIB就必須在tapeout前對spare cell的金屬連線方式做特殊處理。那些暫停加工的wafer這時就可以用新的金屬層光罩往后加工，于是在silicon和光罩兩方面都降低了成本。這樣的話，客戶可以在加工到poly層時（后面的金屬層還沒有做），停止大部分wafer的進程，而讓少量wafer繼續(xù)加工到完成，然后對這些已完成的wafer上的die進行測試，如果發(fā)現(xiàn)有功能或時序上的問題，就可能通過預先布在die上的 Spare cell來解決。這樣的小技巧，能大大加快版圖工作進程。打上這些contact后DRC的運行速度會大大減慢，因為需要無數(shù)次地重復檢查這些contact，比檢查主要線路的DRC所耗時間多得多。因此在調整版圖時，每調整一個細節(jié)，有可能要耗上很長的時間來重新運行DRC，很大地阻礙了工作的進展。減小DRC運行時間的一個小技巧DRC運行的時候，根據(jù)版圖圖形的復雜程度和單元個數(shù)的不同，所用時間不一。這樣連接電容最理想地避免了工藝梯度的影響，但在連線上有一些復雜。ADC中的電容值呈金字塔分布，即從最大值電容，到最小值電容依次遞減，在畫這些電容時，同樣要考慮到工藝梯度的影響。這樣的連接方式連線較多，比較占面積，如果線路對取樣精度要求不高，也可采用簡化一點的蛇形連接方式。淺談ADC中電阻電容的畫法ADC中電阻起到取樣作用，對具體值不敏感，因此匹配性比較重要，要保證電阻鏈上從電源到地的電勢均衡分配，在電阻的擺放上面要注意避免工藝梯度造成的影響。對于模擬部分版圖，電源和地的連接仍有一些講究。版圖中電源線的布局數(shù)模混合芯片中電源的走線分成三類，模擬電路的供電，數(shù)字電路的供電，ESD保護管的供電。Ring從襯底（大多數(shù)是p襯底，n阱，稱為n阱工藝），到pdiff，contact，metal1，mvia，metal2……等等，直到最高層金屬，這樣芯片中每一層都有一個圈圈攔截，能很好地受到機械和電氣保護SEALRING　問題sealring中不是所有層次都做，做的層一類是考慮連接，譬如P型注入，cont，met1，via，met2，這些層次使得se