千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)-文庫吧資料
2025-01-22 10:34本頁面
【正文】 這項(xiàng)在最壞的情況。這個(gè)表達(dá)式在n=2時(shí)取得的最大值大小取決于tDB和T的大小。圖逆變器的原理圖儲(chǔ)能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲(chǔ)能電路、濾波器括號(hào)中的項(xiàng)的差別是兩個(gè)余弦波的幅值大小不同，而不是頻率的差異。并且，濾波器ZF在此開關(guān)頻率下，阻抗值比較小，因此，只有iL的二次和高次諧波分量才能對(duì)V1產(chǎn)生可觀的影響效果。漏源電容的總大小是4CDS，因此，Leff和電容的諧振頻率即Wres，Wres的計(jì)算公式為：其中Ws是叫開關(guān)頻率。濾波器ZF產(chǎn)生的電壓V1，可以假定的認(rèn)為流經(jīng)兩個(gè)電路元件，第一個(gè)元件是Leff，第二個(gè)是集總電容，該電容是儲(chǔ)能電路電容CT串聯(lián)于四個(gè)外部相連的漏源電容并聯(lián)組合。）。和C39。一個(gè)MOSFET器件漏源極之間內(nèi)電容大約為400pF，比漏源極之間外部電容CDS的值要小。這意味著，在MOSFET上，由流經(jīng)濾波器ZF的開關(guān)負(fù)載電流造成的振蕩將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過寄生電感切換電流產(chǎn)生振蕩。由于負(fù)載電流是通過ZF切換，對(duì)于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個(gè)高頻電感Leff表示，并且該濾波器產(chǎn)生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。和L39。這個(gè)預(yù)防措施，為了防止在電壓反饋逆變器的變壓器和主變壓器與電容器串聯(lián)時(shí)，直流電壓的飽和。C39。在電流反饋逆變器，開關(guān)S1和S2，S3可能在不同的時(shí)間導(dǎo)通，這是因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路元件特性的不同、MOSFET本身的特性，或驅(qū)動(dòng)器電路與MOSFET之間導(dǎo)線長(zhǎng)度的細(xì)微差別引起的。串聯(lián)諧振電路的組件是C39。如果ZF是有效地做到這一點(diǎn)，它不應(yīng)該包含電阻成分和Q值較高的有效成分。 IV. 濾波器濾波器ZF的目的是要維持承受本身的電壓尖峰，從而保持該電壓尖峰遠(yuǎn)離MOSFET器件。與振蕩電流路徑中的其他電感相比，這些導(dǎo)線的電感必須是很小的。這樣做的好處是，在過濾器使用時(shí)，這種方法是不可缺少的無損高Q值組件。在振蕩電流通過的電路中插入濾波器ZF，看起來像高頻寄生電感感應(yīng)產(chǎn)生的高頻諧波，接在MOSFET兩端的電容的尺寸要適當(dāng)減小。齊納管鉗位存在保持導(dǎo)線長(zhǎng)度短的問題，就想鉬氧化物壓敏電阻器使用一樣。選擇一個(gè)齊納二極管鉗位電壓峰值MOSFET的將不得不為的鉗位電壓比正常運(yùn)行時(shí)的振蕩電流額定值更低的反向耐壓可能的水平。為了降低MOSFET兩端產(chǎn)生的電壓尖峰，可以使用一個(gè)電阻電容緩沖
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