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單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解-文庫(kù)吧資料

2025-01-16 12:20本頁(yè)面
  

【正文】 ①冷卻水恢復(fù)供應(yīng)時(shí),立即檢查(自動(dòng)打開的)或關(guān)閉事故水閥門,監(jiān)控水壓,有異常及時(shí)報(bào)告。 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 拉晶過程中常見事故和處理 A 停水 a 發(fā)生停水時(shí),立即檢查(自動(dòng)打開的)或打開停水爐子的事故水進(jìn)水閥。 Qn+Ql=Qm+Qc Qn: 加熱器提供的系統(tǒng)熱量 Ql: 晶體結(jié)晶時(shí)釋放的潛熱 Qm: 熔體表面損失的熱量 Qc: 晶棒表面通過熱輻射與對(duì)流將熱量損失到外圍 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 174。 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : ①自然對(duì)流 . ② 強(qiáng)迫對(duì)流 旋流 . ③ 強(qiáng)迫對(duì)流 逆流 . ④ 表面張力對(duì)流 . (無(wú)位錯(cuò)單晶生長(zhǎng)技術(shù)) 位錯(cuò)的特性:位錯(cuò)是一種線性缺陷,是由幾個(gè)原子大小的線性管道,位錯(cuò)線附近原子發(fā)生嚴(yán)重錯(cuò)排和畸變。 ③在化料過程中,坩堝的位置放置的重要性。單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : 裝好爐的幾個(gè)關(guān)鍵問題: : ?防止雜質(zhì)影響單晶位錯(cuò)的產(chǎn)生 . ② 使氧化物通暢的排除 . : ?間隙 ②是否使?fàn)t子與其他石墨件絕緣 :
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