年產(chǎn)10000噸超凈高純試劑項(xiàng)目建議書-文庫吧資料
2025-03-06 20:15本頁面
【正文】 。除上述的核心部分的 100級超凈室與 10級超凈工作臺外，還必須設(shè)置更大規(guī)模的與其配套的萬級超凈室與十萬級潔凈室。 其次，為適應(yīng) 8英寸 以上 芯片生產(chǎn)線，超凈高純試劑的高要求，在 100級的超凈室內(nèi)還需設(shè)置 10級的超凈工作臺，核心操作都在超凈工作臺內(nèi)完成 。 建設(shè) 現(xiàn)在 8英寸的芯片生產(chǎn)線，芯片線路線寬都 在 ~ m，需要控制 m以上的塵埃顆粒 。 包裝容器在普通潔凈工作間先用純水洗凈，然后進(jìn)入萬級工作間進(jìn)行精洗，然后由專用通道進(jìn)入 100級凈化間內(nèi)，用達(dá)到要求的超凈高純水漂洗至合格后，再供使用。然后在嚴(yán)格不受 外 界污染的條件下輸送到 100級凈化間中的 10級工作臺中，用事先經(jīng)過潔凈處理并達(dá)到要求的容器分裝、封口后，經(jīng)專用通道輸出到潔凈的外包裝間。其生產(chǎn)工藝是以這此產(chǎn)品的化學(xué)試劑為原料，在專用的潔凈廠房中 用 專用的石英玻璃設(shè)備中進(jìn)行亞沸蒸餾、分子蒸餾等工藝提純。目前已建成生產(chǎn)線的用料全部依賴進(jìn)口。 綜上所述，西南地區(qū)也已具備了超大規(guī)模集成電路的相當(dāng)大的產(chǎn)能。 按超凈高純試劑占微電子行業(yè)產(chǎn)值 3— 5%計(jì)算，僅重慶超凈高第 9 頁 共 16 頁 純試劑產(chǎn)值將達(dá)到 300~500 億元。 正是在電子信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的大潮下，四川省委政策研究室副主任李后強(qiáng)表示，一個(gè)足以改寫全球 IT 業(yè)版圖的“中國電子谷”正在成渝經(jīng)濟(jì)區(qū)悄然崛起。 臺式電腦的產(chǎn)能 2021 萬臺；成像打印設(shè)備的產(chǎn)能 2021 萬 ~3000萬臺；交換設(shè)備產(chǎn)能 200 萬 ~300 萬臺；顯示器產(chǎn)能 3000 萬 ~4000 萬臺；再加上路由器等電子設(shè)備。 升級后的重慶 IT產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)規(guī)模將拓展到 2億臺。目前品牌商戴爾、聯(lián)想已經(jīng)落戶成都。隨著鴻富錦公司產(chǎn)能的進(jìn)一步提升和仁寶、緯創(chuàng)等 IT企業(yè)的陸續(xù)投產(chǎn)，這一數(shù)字還將繼續(xù)放量增長，預(yù)計(jì)全年成都市出口便攜式電腦將超過 2021 萬臺。 第 8 頁 共 16 頁 最新的數(shù)據(jù)顯示， 2021 年 1~5月，成都全市出口便攜式電腦 萬臺，全部為平板電腦，出口金額為 億美元，約占全市出口總額的 16%；而重慶便攜式電腦出口量達(dá) 萬臺，出口金額為 億美元，占全市出口總量的 20%?，F(xiàn)已有茂德、日月光等臺資企業(yè)及 IBM、 HP 等 IT 巨頭進(jìn)駐園區(qū)。 從 2021 年 8 月開始，重慶市就著手建立西永微電子工業(yè)園，計(jì)劃到 2021 年達(dá)到年產(chǎn)值 1000 億元，占國內(nèi)同類市場份額的 10%。 2021 年成都地區(qū)首先引進(jìn)了 8 英寸芯片的生產(chǎn)線，并將其定為 1 號工程，總投資12億人民幣。產(chǎn)品已開始進(jìn)入主要集成電路廠家試用，如中芯國 際、臺積電，并出口東南亞。擁有價(jià)值近 1500 萬元的大型精密測試儀器和技術(shù)裝備，如測試限達(dá)到 1ppt（ 1012）的電感耦合等離子光譜 質(zhì)譜儀（ ICPMS）、測試限 （ 109）的原子吸收光譜儀（ AA）、紫外 可見分光光譜儀（ ）、極譜儀、總碳分析儀、 的離子色譜儀（ IC）、氣相色譜儀（ GC）、高效液相色譜儀（ HPLC）、激光散射顆粒測定儀（ PMC）、空氣凈化顆粒測試儀、微波消化器等。 上海華誼微電子材料有限公司建筑面積近 13000 平方米，建有世界一流水平的生產(chǎn)線和凈化包裝線。通過 “ 863” 課題的研究開發(fā)，不僅提升了在超凈高純試劑方面的技術(shù)水平，也培養(yǎng)了一大批專業(yè)技術(shù)人才。 “ 十五 ” 期間，國家科技部將 “ VLSI 用超凈高純試劑研究 ” 課題列入了 “863”超大規(guī)模集成電路配套材料重大專項(xiàng)計(jì)劃之中，由北京化學(xué)試劑研究所、上海華誼（集團(tuán)）公司等單位承擔(dān)，其研究的主要目的是完成 ～ 技術(shù) ULSI 用超凈高純試劑的研究與開發(fā)工作，此項(xiàng)目現(xiàn)已完成，關(guān)鍵品種的制備工藝已趨完善，配套支撐條件基本上可以滿足研發(fā)的要求，顆粒、金屬雜質(zhì)、陰離子及 TOC 等分析測試方法的研究也取得了一系列成果，為 “ 十 二 五 ” 的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)及更加深入的研究奠定了良好的技術(shù)基礎(chǔ)。到目前為止 ,北京化學(xué) 試第 6 頁 共 16 頁 劑 研究 所已相繼推出了 BVⅠ 級、 BVⅡ 級和 BVⅢ 級超凈高純試劑 ,其中 BVⅢ 級超凈高純試劑達(dá)到國際 SEMIC7標(biāo)準(zhǔn)的水平 ,適用于 ～ (1～ 4M)的加工制作 ,并在 “ 九五 ” 末期形成了 500t 年的中試規(guī)模。隨著集成電路集成度的不斷提高 ,對超凈高純試劑中的可溶性雜質(zhì)和固體顆粒的控制越來越嚴(yán) ,同時(shí)對生產(chǎn)環(huán)境、包裝方式及包裝材質(zhì)等提出了更高的要求。進(jìn)口產(chǎn)品的主要來源有日本、韓國、美國等國家及我 國的臺灣地區(qū)。 FPD 工藝與 VLSI 是類似的，需求的超凈高純試劑也要幾萬噸。按 “ 十 二 五 ” 計(jì)劃新建 的生產(chǎn)線對于超凈高純試劑耗用量將有較大幅度增長。 2021～2021 年 5 年間，平均增長率 %。部分產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)也將能夠形成規(guī)?；a(chǎn)，相關(guān)分析測試方法的研究也有了較大的突破，但總體上仍然受支撐條件落后、配套設(shè)施基礎(chǔ)差等客觀因素的制約，關(guān)鍵的儀器設(shè)備包括容器等必須 依賴進(jìn)口，超凈高純試劑工藝先進(jìn)技術(shù)如氣體吸收、離子交換、膜處理技術(shù)等的應(yīng)用要達(dá)到國外的先進(jìn)第 5 頁 共 16 頁 水平也有一定的差距，這也導(dǎo)致真正要實(shí)現(xiàn)超凈高純試劑的工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)存在較大的差距。 ～ 技術(shù)用超凈高純試劑（相當(dāng)于國際 SEMI 標(biāo)準(zhǔn) C7 水平）的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)基本成熟，初步形成生產(chǎn)規(guī)模。在技術(shù)方面，美國、德國、日本、韓國及我國臺灣地區(qū)目前已經(jīng)在大規(guī)模生產(chǎn) ～ 技術(shù)用的超凈高純試劑，其中的過氧化氫、硫酸、異丙醇等主要品種一般在 5000～ 10000 噸
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1