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正文內(nèi)容

中南大學(xué)自動(dòng)控制原理實(shí)驗(yàn)報(bào)告-文庫吧資料

2025-03-05 15:02本頁面
  

【正文】 如上圖所示。 4. 改變對象的開環(huán)增益,即改變電阻 R 的值,用示波器的“ CH1”和“ CH2”表筆分別測量輸入端和輸出端,觀察對象的時(shí)域響應(yīng)曲線,應(yīng)該和理論分析吻合。 將開關(guān)設(shè)在“方波”檔,分別調(diào)節(jié)調(diào)幅和調(diào)頻電位器,使得“ OUT”端輸出的方波幅值為 1V,周期為 10s 左右。 2. 將信號(hào)源單元的“ ST” 端 插針與“ S” 端插針用“短路塊” 短接。 實(shí)驗(yàn)步驟 1. 繪制根軌跡圖:實(shí)驗(yàn)前根據(jù)對象傳函畫出對象的根軌跡圖,對其穩(wěn)定性及暫態(tài)性能做出理論上的判斷。這就是說,根軌跡法可用來解決線性系統(tǒng)的分析和綜合問題。 上述分析表明,根軌跡與系統(tǒng)性 能之間有密切的聯(lián)系。 (2) 當(dāng) K 3; 即 R 166 KΩ 時(shí),兩條根軌跡進(jìn)入 S 右半平面,系統(tǒng)不穩(wěn)定。其箭頭表示隨著 K 值的增加,根軌跡的變化趨勢,而標(biāo)注的數(shù)值則 代表與特征根位臵相應(yīng)的開環(huán)增益 K 的數(shù)值。 ②起始于 0 和- 1 的兩條根軌跡在實(shí)軸上相遇后分離,分離點(diǎn)為 顯然 S2 不在根軌跡上,所以 S1 為系統(tǒng)的分離點(diǎn),將 S1=- 代入特征方程 S(S+1)(+1)+ K 中,得 K= (3) 根軌跡與虛軸的交點(diǎn) 將 S = j W 代入特征方程可得 : 根據(jù)以上計(jì)算,將這些數(shù)值標(biāo)注在 S 平面上,并連成光滑的粗實(shí)線,如下圖所示。開環(huán)有三個(gè)極點(diǎn): p1= 0, p2=- 1, p3=- 2。 實(shí)驗(yàn)原理及內(nèi)容 實(shí)驗(yàn)對象的結(jié)構(gòu)框圖: 模擬電路構(gòu)成: 如圖 所示。 3. 通過實(shí)際實(shí)驗(yàn),來驗(yàn)證根軌跡方法。 三階系統(tǒng) 三階系統(tǒng)處于臨界穩(wěn)定時(shí) 三階 R30K 裝 訂 線 13 R30K 裝 訂 線 14 實(shí)驗(yàn)三 線性系統(tǒng)的根軌跡分析 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1. 根據(jù)對象的開環(huán)傳函,做出根軌 跡圖。 同理當(dāng) R的阻值減小時(shí),系統(tǒng)應(yīng)該趨于欠阻尼狀態(tài);如 R=50時(shí),系統(tǒng)處于欠阻尼狀態(tài),其輸出波形如下圖所示: 欠阻尼 裝 訂 線 12 欠阻尼狀態(tài),是我們所期望的一種狀態(tài),相比于過阻尼,系統(tǒng)響應(yīng)時(shí)間比較短,相比于臨界阻尼,系統(tǒng)的超調(diào)量比較小。 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象分析 裝 訂 線 10 注意:在做實(shí)驗(yàn)前一定要進(jìn)行對象整定 ,否則將會(huì)導(dǎo)致理論值和實(shí)際測量值 相差較大。 (3) 減小開環(huán)增益 (R = ; 100K),觀察響應(yīng)曲線,并將實(shí)驗(yàn)結(jié)果填入表 中。 (1) 按圖 接線,將 1 中的方波信號(hào)接至輸入端,取 R = 30K。將實(shí)驗(yàn)結(jié)果填入表 中。 (3) 分別按 R = 50K; 160K; 200K;改變系統(tǒng)開環(huán)增益,觀察響應(yīng)曲線 C(t),測量并記錄性能指標(biāo) MP、 tp 和 tS,及系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 裝 訂 線 9 (1) 按模擬電路圖接線,將 1 中的方波信號(hào)接 至輸入端,取 R = 10K。 將開關(guān)設(shè)在“方波”檔,分別調(diào)節(jié)調(diào)幅和調(diào)頻電位器,使得“ OUT”端輸出的方波幅值為 1V,周期為 10s 左右。 模擬電路圖: 實(shí)驗(yàn)步驟 : 1. 將信號(hào)源單元的“ ST” 端插針與“ S” 端插針用“短路塊” 短接。 3. 熟悉 Routh 判據(jù),用 Routh 判據(jù)對三階系統(tǒng)進(jìn)行穩(wěn)定性分析。 裝 訂 線 8
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