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高新區(qū)3000ta多晶硅項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書(shū)-文庫(kù)吧資料

2024-08-28 10:31本頁(yè)面
  

【正文】 硅烷用泵增壓,大部分經(jīng)冷凍降溫后循環(huán)回塔頂用于氣體的洗滌,多余部份的氯硅烷送入氯化氫解析塔。 三氯氫硅合成氣流經(jīng)混合氣緩沖罐,然后進(jìn)入噴淋洗滌塔,被塔頂流下的低溫氯硅烷液體洗滌。除去了硅粉而被凈化的混 合氣體送往合成氣干法分離工序。合成爐外壁設(shè)置有水夾套,通過(guò)夾套內(nèi)水帶走熱量維持爐壁的溫度。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 22 在三氯氫硅合成爐內(nèi),硅粉與氯化氫氣體形成沸騰床并發(fā)生反應(yīng),生成三氯氫硅,同時(shí)生成四氯化硅、二氯二氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷、氫氣等產(chǎn)物,此混合氣體被稱作三氯氫硅合成氣。 從氯化氫合成工序來(lái)的氯化氫氣,與從循環(huán)氯化氫緩沖罐送來(lái)的循環(huán)氯化氫氣混合后,引入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管,將從硅粉供應(yīng)料斗供入管內(nèi)的硅粉挾帶并輸送,從 底部進(jìn)入三氯氫硅合成爐。硅粉從接收料斗放入下方的中間料斗,經(jīng)用熱氯化氫氣置換料斗內(nèi)的氣體并升壓至與下方料斗壓力平衡后,硅粉被放入下方的硅粉供應(yīng)料斗。出氧氣貯罐的氧氣送去裝瓶或放空。凈化干燥后的氫氣送入氫氣貯罐,然后送往氯化氫合成、三氯氫硅氫還原、四氯化硅氫化工序 。電解制得的氫氣經(jīng)過(guò)冷卻、分離液體后,進(jìn)入除氧器,在催化劑的作用下,氫氣中的微量氧氣與氫氣反應(yīng)生成水而被除去。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用(配置NaOH 溶液),結(jié)晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。蒸發(fā)冷凝液循環(huán)利用(配置 NaOH 溶液),結(jié)晶固體氯化鈉等外售或填埋。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 21 SiO NaCl 等)送渣廠堆埋。 工藝廢料處理工序 A.Ⅰ類廢液處理 來(lái)自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢堿、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理 的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后,經(jīng)過(guò)壓濾機(jī)過(guò)濾。 B.殘液處理 從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加 入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉(zhuǎn)化成無(wú)害的物質(zhì)。 廢氣和殘液處理工序 A.廢氣凈化 用 10%NaOH溶液洗滌,廢氣中的氯硅烷(以 SiHCl3 為例)和氯化氫與 NaOH發(fā)生反應(yīng)而被除去: 23223 33 HH C lS i OHOHS i H C l ???? OHS i ONaN a O HS i OH 23232 22 ??? OHN a C lN a O HH C l 2??? 廢氣經(jīng)液封罐放空。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 四氯化硅氫化工序 在三氯氫硅的氫還原過(guò)程中生成四氯化硅,在將后者冷凝和 脫除三氯氫 硅之后進(jìn)行熱氫化,轉(zhuǎn)化為三氯氫硅 。 氯硅烷的冷凝物輸往其深度凈化單元,主要 有 : ● 將主體組分進(jìn)行分離 ( 三氯氫硅,四氯化硅及聚氯硅烷 ) ● 將三氯氫硅中的雜質(zhì)形態(tài)穩(wěn)定化 ● 將低沸點(diǎn)的雜質(zhì)和高沸點(diǎn)的雜質(zhì)從三氯氫硅中進(jìn)行深度清除 ● 清除四氯化硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì) ● 將聚氯硅烷和固體顆粒濃縮 ● 將氫還原和氫化設(shè)備中的冷凝物進(jìn)行分離和提純 三氯氫硅氫還原工序 在原始方形硅芯棒上沉積多晶硅。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 19 氯硅烷分離提純工序 氯硅烷的分離和提純是根據(jù)加壓精餾的原理,通過(guò)采用合理節(jié)能工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 主反應(yīng): 233 HS iH C lH C lSi ??? 24 24 HS iC lH C lSi ??? 副反應(yīng) 262 362 HClSiH C lSi ??? 252 252 HH C lSiH C lSi ??? 合成氣干法分離工序 經(jīng)三級(jí)旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉 , 經(jīng)低溫氯硅烷液體洗滌、分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體,分別循環(huán)回裝置使用 。 簡(jiǎn)本 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 18 反應(yīng)原理 3000 噸 /年電子級(jí)多晶硅裝置工藝流程由以下主要工序組成: (1) 三氯氫硅合成工序 (2) 合成氣干法分離工序 (3) 氯硅烷分離提純工序 (4) 三氯氫硅氫還原工序 (5) 還原尾氣干法分離工序 (6) 四氯化硅氫化工序 (7) 氫化氣干法分離工序 (8) 氯硅烷貯存工序 (9) 硅芯制備工序 (10) 產(chǎn)品整理工序 (11) 廢氣和殘液處理工序 (12) 工藝廢料處理工序 三氯氫硅合成 在一定溫度下 ,晶體 硅 與 氯化 氫的發(fā)生反應(yīng)生成 三氯氫硅 和四氯化硅。 工藝流程見(jiàn)圖 三種技術(shù)均可選,在技術(shù)談判和商務(wù)談判階段需進(jìn)一步綜合比較 方可選定 。 目前國(guó)內(nèi)采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的技術(shù)來(lái)源,主要有國(guó)內(nèi)自有技術(shù)、引進(jìn)俄羅斯技術(shù)和引進(jìn) 歐洲 (德國(guó)、意大利等國(guó) )技術(shù) 、 引進(jìn)美國(guó) GT 公司、 DEI公司技術(shù)等。 工藝技術(shù)路線的確定 從以上所述多晶硅生產(chǎn)的主要工藝技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,改良西門子工藝能夠兼容電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn),以其技術(shù)成熟、適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)等特點(diǎn),仍是目前多晶硅生產(chǎn)普遍采用的首選工藝。 隨著光伏產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的需求迅速增長(zhǎng),新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)的研究空前活躍。 另有硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝,是用硅烷進(jìn)行熱分解生成多晶硅。 廢水、固 廢 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 擬建廠前區(qū),設(shè)辦公樓和倒班宿舍等。供水、排水、循環(huán)水、脫鹽水、供電、電訊、自動(dòng)控制系統(tǒng)、供熱、冷凍站、空壓制氮站、 中央分析及監(jiān)測(cè) 廢氣、廢 水、噪聲 三 貯運(yùn)及輔助設(shè)施 表 241 項(xiàng)目組成一覽表 序號(hào) 項(xiàng)目分類 主要內(nèi)容 主要環(huán)境問(wèn)題 施工期 營(yíng)運(yùn)期 一 主體工程 規(guī)格 三氯氫硅 (低沸物 ) 工業(yè)級(jí) 含 SiHCl3 ≥ 94% 產(chǎn)品 用途 用作高分子有機(jī)硅化合物的原料, 也是生產(chǎn)半導(dǎo)體硅、單晶硅的原料 。 三氯氫硅 (SiHCl3,副產(chǎn)物 ) 性質(zhì) 三氯氫硅 無(wú)色液體。 熔點(diǎn) 70℃、 沸點(diǎn) ℃、 相對(duì)密度 , 可與苯、乙醚、氯仿、石油醚、四氯化碳、四氯化錫、四氯化鈦、一氯及二氯化硫以任何比例混溶 。 多晶硅是單晶硅 及硅片產(chǎn)品的唯一原料,用多晶硅加工制成的硅片 (硅拋光片、太陽(yáng)能級(jí)硅片 )主要用于制作集成電路、整流元件、功率晶體管、分立器件、探測(cè)器、太陽(yáng)能電池等半導(dǎo)體器件。 表 231 多晶硅產(chǎn)品規(guī)格和質(zhì)量指標(biāo) 指標(biāo)名稱 產(chǎn)品規(guī)格及質(zhì)量指標(biāo) Si % w(太陽(yáng)能級(jí) ) 受主水平 N3000Ω .cm 施主水平 P300Ω .c B 含量 ≤ w P 含量 ≤ C 含量 ≤ 100ppb 體內(nèi)金屬含量 w (Fe 、 Cu、 Zn、 Cr、 Ni) 形態(tài) 表面無(wú)氧化夾雜物,呈銀灰色,帶有金屬光澤, 表面金屬雜質(zhì)含量 : Fe a/ w Cu a/ w Ni a/ w Cr a/ w Zn a/ w Na a/ w 產(chǎn)品 用途 多晶硅材料是以金屬硅為原料經(jīng)一系列的物理化學(xué)反應(yīng)提純后達(dá)到一定純度的硅材料,是硅產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)鏈中的一個(gè)極為重要的中間產(chǎn)品 。一般認(rèn)為純度在 %左右 。電子級(jí)硅一般要求純度高于 %以上,超高純達(dá)到 %~%(一般稱 9 個(gè) 9 至 11 個(gè) 9),其導(dǎo)電性介于 104~ 1010 歐厘米。 多晶硅按純度分類可以分為冶金用硅、太陽(yáng)能級(jí)、電子級(jí)。 、產(chǎn)品方案及年操作時(shí)間 建設(shè)規(guī)模 多晶硅裝置 3000 噸 /年 產(chǎn)品方案 主產(chǎn)品 3000 噸 /年電路級(jí)多晶硅 副產(chǎn)物 四氯化硅(高沸物,工業(yè)級(jí),含 SiCl4 ≥ 95%) 三氯氫硅(低沸物,工業(yè)級(jí),含 SiHCl3 ≥ 94%) 年操作時(shí)間 本項(xiàng)目年操作時(shí)間 7440 小時(shí)。 評(píng)價(jià)重點(diǎn) ( 1)工程分析 ; ( 2) 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀調(diào)查與評(píng)價(jià); ( 3)環(huán)境空氣影響 預(yù)測(cè)與 評(píng)價(jià) ; 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 : 13 ( 4) 污染防治措施及其技術(shù)可行性分析 。 表 1610 污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn) ( mg/L, pH 除外) 項(xiàng)目 標(biāo)準(zhǔn)值 備注 pH(無(wú)量綱 ) 6~ 9 《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB89781996 一級(jí)標(biāo)準(zhǔn) SS 70 CODcr 100 氨氮 15 BOD5 20 石油類 5 氟化物 10 ( 3)噪聲 廠界執(zhí)行《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn) 》( GB 1234890) Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn),施工噪聲《建筑施工廠界噪聲限值》 ( GB1252390)標(biāo)準(zhǔn) ,標(biāo)準(zhǔn)值 見(jiàn)表 1611。排水執(zhí)行《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 GB89781996 一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 : 11 表 165 噪聲評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 功能區(qū)類型 執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)和級(jí)別 標(biāo)準(zhǔn)值 [dB(A)] 晝間 夜間 環(huán)境噪聲 《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)》 ( GB309693) 3 類 65 55 污染物排放標(biāo)準(zhǔn) ( 1)大氣污染物 本項(xiàng)目生產(chǎn)中排放的廢氣執(zhí)行《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 ( GB162971996)表 2 新污染源二級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn),鍋爐執(zhí)行《鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》( GB132172020) 中Ⅱ時(shí)段標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)熱油加熱爐執(zhí)行《工業(yè)爐窯大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》表 2 二級(jí)標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)準(zhǔn)值見(jiàn)表 167~ 表 169。 表 163 地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) (mg/L, pH除外 ) 序號(hào) 污染物 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 序號(hào) 污染物 Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn)限值 1 pH 6~ 9 6 氨氮 ≤ 2 溶解氧 ≥ 5 7 石油類 ≤ 3 高錳酸 鹽 數(shù) ≤ 6 8 揮發(fā)酚 ≤ 4 BOD5 ≤ 4 9 氟化物 ≤ 5 COD ≤ 20 10 總磷 ≤ ( 3)地下水 評(píng)價(jià)區(qū)域 地下水執(zhí)行《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》( GB/T1484893) Ⅲ 類標(biāo)準(zhǔn), 標(biāo)準(zhǔn)值 見(jiàn) 表 164。 評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 根據(jù) 四川省 環(huán)境保護(hù)局 《 關(guān)于 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響評(píng)價(jià)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)的函 》 ( 川 環(huán) 評(píng)函 [2020]75 號(hào) )批復(fù) , 本次評(píng)價(jià)執(zhí)行的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下: 環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) ( 1) 環(huán)境空氣 SO NO TSP、 PM HF(參考氟化物( F))執(zhí)行《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 : 10 ( GB30951996)二級(jí)標(biāo)準(zhǔn), HCl 參考執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》( TJ3679)中表 1“居住區(qū)大氣中有害物質(zhì)的最高容許濃度” ,標(biāo)準(zhǔn)值見(jiàn)表 162。 根據(jù)《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則》( HJ/T 1692020)評(píng)價(jià)工作等級(jí)確定原則,本項(xiàng)目環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)的工作等級(jí)確定為一級(jí)評(píng)價(jià)。依據(jù)本項(xiàng)目的危險(xiǎn)特性和使用及貯存數(shù)量,生產(chǎn)場(chǎng)所和貯存場(chǎng)所為該項(xiàng)目的主要重大危險(xiǎn)源,尤其是罐區(qū)的貯存量遠(yuǎn)大于重大危險(xiǎn)源辯識(shí)中危險(xiǎn)物質(zhì)的臨界量。 ② 評(píng)價(jià)范圍 廠界外延 1000m ( 5) 環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)工作等級(jí)和評(píng)價(jià)范圍 ① 評(píng)價(jià)等級(jí) 本項(xiàng)目原料、輔助材料、中間產(chǎn)品、產(chǎn)品等主要物料中,三氯氫硅、氟化氫等為有毒物質(zhì),存在有毒物料泄漏發(fā)生人員傷亡的危險(xiǎn) , 硝酸為具有腐蝕性的物料,具有較強(qiáng)的腐蝕性,對(duì)人有灼傷危害。 ② 評(píng)價(jià)范圍 廠界外 1m。 地下水 現(xiàn)狀 調(diào)查和評(píng)價(jià) 范圍 :廠區(qū)邊界 外 2km 范圍內(nèi)。 地下水:本項(xiàng)目所在區(qū)域地下水屬于《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》 GB/T1484893 的Ⅲ類地區(qū),本項(xiàng)目 評(píng)價(jià) 將在場(chǎng)地及周圍區(qū)域地下水的現(xiàn)狀水質(zhì)、水文地質(zhì)特征等調(diào)查、分析基礎(chǔ)上,結(jié)合項(xiàng)目特點(diǎn), 對(duì)地下水的影響只進(jìn)行簡(jiǎn)要分析 , 提出防止地下水污染的措施建議。 ( 2) 水 環(huán)境 評(píng)價(jià)工作等級(jí)和評(píng)價(jià)范圍 ① 評(píng)價(jià)等級(jí) 地表水:根據(jù)《環(huán)境影響評(píng)價(jià)技術(shù)導(dǎo)則-地面水環(huán)境》( HJ/)劃分,本項(xiàng)目廢水 經(jīng)廠區(qū)污水處理站后 , 達(dá)到《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》 GB89781996 一級(jí)標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)白灘堰排入岷江 ,排水量約 149m3/d,污水中含 COD、鹽等,水質(zhì)復(fù)雜 程度簡(jiǎn)單,岷江多年平均流量 470~ 2700m3/s,屬于大河。 樂(lè)山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書(shū) 北京京誠(chéng)嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評(píng)報(bào)告書(shū)、工程師考試資料來(lái)自 環(huán)境技術(shù)論壇 : 7 表 151 評(píng) 價(jià)區(qū)內(nèi)主要 環(huán)境 保護(hù)目標(biāo)一覽表 環(huán)境 類別 序 號(hào) 環(huán)境保護(hù)目標(biāo) 區(qū)域特征 相對(duì)廠址 方位 相對(duì)廠址 距離( m) 概況 (人數(shù)) 環(huán)境功能要求 環(huán)
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