【正文】 排放 ”、 “總量控制 ”、“循環(huán)經(jīng)濟 ”的原則 ； （ 5）以 多種形式進行公眾參與。 表 141 項目評價因子一覽表 評價要素 評價類型 評價因子 環(huán)境空氣 污染源調(diào)查 煙塵、 SO2 環(huán)境現(xiàn)狀 SO NO PM TSP、 HCL 和 氟化物 環(huán)境影響 HCL、氟化物、 NO2和硅粉塵 總量控制 硅粉塵、 HCL（特征污染物） 風險評價 HCL、氟化物 地表水 污染源調(diào)查 CODcr、氨氮、 SS 環(huán)境現(xiàn)狀 pH、水溫、 溶解氧 、 高錳酸鉀指數(shù) 、 生化需氧量 、 化學需氧量 、氨氮 、 石油類 、 揮發(fā)酚 、 氟化物 、 氯化物 環(huán)境影響 廢水進入 污水處理廠 可行性分析 總量控制 CODcr 聲環(huán)境 現(xiàn)狀及影響 連續(xù)等效聲級 dB(A) 固體廢物 固廢影響 工業(yè)性固體廢物產(chǎn)生量、處置量和處置方式 主要環(huán)境 控制及 保護目標 根據(jù)現(xiàn)場調(diào)查，結(jié)合本項目 排污特征和所在區(qū)域的環(huán)境功能及環(huán)境總體控制目標， 確定環(huán)境空氣保護目標為評價區(qū)域內(nèi) 居民點、樂山市區(qū)、 樂山大佛風景名勝區(qū) ，地表水環(huán)境保 護 目標為 岷江 ，地下水保護目標為廠址所在區(qū)域地下水環(huán)境 ，主要保護目標及功能要求見表 151，分布位置見圖 151。 表 161 環(huán)境空氣評價等級計算 污 染 物 排放量 (t/h) 環(huán)境標準 (mg/m3) 等標排放量 (m3/h) 判斷值 評 價 級 別 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 8 HCI 105 106 一級 Pi≥ 109 二級 109＞ Pi≥ 108 三級 Pi＜ 108 小于三級 硅粉塵 104 * 106 HF 105 106 NOX 105 106 ② 評 價范圍 環(huán)境空氣 評價范圍 考慮樂山市城區(qū)及 樂山大佛風景名勝區(qū) ，在三級評價基礎上對評價范圍適當擴大，評價范 圍 確定 以廠址為中心， 以廠址所在地主導風向為主軸，長 10km、寬 10km，面積 100 km2的矩形區(qū)域，見圖 151。 按《關于樂山市地面水水域環(huán)境功能類別的規(guī)定的通知》 ，評價河段屬 Ⅲ 類水體， 確定本項目地面水環(huán)境影響評價為三級。 ② 評價范圍 地表水評價范圍： 岷江開發(fā)區(qū)段廢水總排口上游 1km，下游 5km。 （ 3） 聲 環(huán)境 評價工作等級和評價范圍 ① 評價等級 根據(jù)《環(huán)境影響評價技術導則－聲環(huán)境》（ HJ/）劃分，項目廠址屬于 樂山高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū) ， 廠界 聲環(huán)境執(zhí)行 3 類標準， 項目建成后 距離聲環(huán)境保護目標較遠 ， 因此確定噪聲評價等級為三 級。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 9 （ 4） 生態(tài)評價等級 ① 評價等級 項目占地 ，屬于開發(fā)區(qū)工業(yè)用地，目前土地已平整完畢，根據(jù)《環(huán)境影響評價技術導則－非污染生態(tài)影響》（ HJ/T191997）規(guī)定，對生態(tài)環(huán)境影響進行簡要分析。 從本項目生產(chǎn)過程分析，重大危險源主要為物料的貯存場所，生產(chǎn)場所包括罐區(qū)。罐區(qū)存在著發(fā)生重大火災、爆炸或毒物泄漏，對 環(huán)境造成嚴重污染事故的可能性。 ② 評價范圍 環(huán)境 風險 評價范圍是以 廠址 中心 為原點 ，半徑為 5km 的圍成的區(qū)域 ，見圖151。 表 162 環(huán)境空氣 質(zhì)量 標準 （ mg/Nm3） 質(zhì)量標準名稱 標準 級別 標準值 污染物 SO2 NO2 TSP PM10 氟化物 HCl 《環(huán)境空氣質(zhì)量標準》 (GB30951996) 一級 標準 1 小時平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 二級 標準 1 小時平均 ? ? ? 日平均 ? 年平均 ? ? 《工業(yè)企業(yè)設計衛(wèi)生標準》（ TJ3679） ? 一次 ? ? ? ? ? ? 日均 ? ? ? ? ? （ 2）地表水 地表水 岷江廠址段上下游 執(zhí)行《地表水環(huán)境質(zhì)量標準》（ GB38382020） Ⅲ類標準， 標準值見表 163。 表 164 地下水質(zhì)量標準 （ mg/L， pH 除外） 序號 項目 Ⅲ 類標準限值 序號 項目 Ⅲ 類標準限值 1 pH ～ 6 亞硝酸鹽氮 ≤ 2 總硬度 ≤ 450 7 氨氮 ≤ 3 溶解性總固體 ≤ 1000 8 氟化物 ≤ 4 高錳酸鹽指數(shù) ≤ 9 氰化物 ≤ 5 硝酸鹽氮 ≤ 20 10 硫酸鹽 ≤ 250 （ 4）聲環(huán)境 廠址區(qū)域 聲環(huán)境 現(xiàn)狀執(zhí)行 《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標準》（ GB309693） 3 類 標準，標準值 見表 165。 表 167 大氣 污染物排放 標準 （ mg/Nm3） 污染物 最高允許 排放濃度 mg/m3 排氣筒 高度 m 排放速率 kg/h 無組織監(jiān)控 濃度限值 mg/m3 備注 SO2 550 15 GB162971996 表 2 中二級 30 15 40 25 NOX（以 NO2 計） 240 15 30 40 顆粒物 120 15 20 30 23 HCl 100 15 20 30 HF（參照氟化物標準） 15 30 40 表 168鍋爐大氣污染物排放標準 鍋爐類別 煙塵 煙氣黑度 SO2 NOX 燃氣鍋爐 燃氣 10 Ⅰ 100 400 169 工業(yè)爐窯大氣污染物排放標準 爐窯類別 煙塵 加熱爐 非金屬加熱爐 200 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 12 （ 2）水污染物 本項目生產(chǎn)過程中排出的工藝污水先進入廠區(qū)的污水處理站，處理達標后通過 白灘堰排入岷 江 。具體標準值見表 1610。 表 1611 噪聲評價標準 標準名稱和類別 噪聲限值（ dB） 晝間 夜間 《 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標準 》（ GB1234890） Ⅲ 類標準 65 55 《建筑施工廠界噪聲限值》（ GB1252390） 6585 55 控制標準 （ 1） 固體廢物執(zhí)行 《危險廢物鑒別標準》（ ～ 31996）、 《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標準》 （ GB185992020） 及《 危險廢物貯存污染控制標準 》 （ GB125252020） ； （ 2）《環(huán)境保護圖 形標志排放口（源）》（ ）； （ 3）《環(huán)境保護圖形標志 固體廢物貯存（處置）場》（ ） （ 4） 重大危險源識別采用《重大危險源辯識》 GB182182020。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 14 、地點和建設性質(zhì) 項目名稱： 樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目 項目性質(zhì)：新建 建設地點：樂山高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建業(yè) 大道以南，樂高大道和茶山路之間。 、規(guī)格及用途 多晶硅 (Si，產(chǎn)品 ) 性質(zhì) 多晶硅 具 灰色金屬光澤 ， 熔點 1410℃ 、 沸點 2355℃ 、 密度 ～ ，溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸 。冶金用硅是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成，一般純度為 97～ %，最高可達 %以上。太陽能級多晶硅純度介于冶金級硅與電子級硅之間，至今未有明確界定。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 15 規(guī)格 本項目多晶硅產(chǎn)品的規(guī)格和質(zhì)量指標見表 231。是 電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料 。 四氯化硅 (SiCl4，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì) 四氯化硅 無色透明發(fā)煙液體 ， 具有難聞的窒息性氣味 。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 北京京誠嘉宇環(huán)境科技有限公司 更多環(huán)評報告書、工程師考試資料來自 環(huán)境技術論壇 ： 16 規(guī)格 四氯化硅 (高沸物 ) 工業(yè)級 含 SiCl4 ≥ 95% 產(chǎn)品 用途 用于制硅酸酯類、有機硅單體、有機硅油、高溫絕緣材料、硅樹脂、硅橡膠等，也用作煙幕劑 。熔點 ℃、 沸點 33℃、 相對密度 ， 溶解性 能溶 于二硫化碳、四氯化碳、氯仿、苯等。 本項目多晶硅生產(chǎn)裝置以及配套的公用工程和 輔助設施詳見表 241。 3000t/a太陽能 級多晶硅裝 置 包括：三氯氫硅合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、三氯氫硅氫還原、還原尾氣干法分離、四氯化硅氫化、氫化氣干法分離、氯硅烷貯存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣和殘液處理、工藝廢料處理 揚塵、廢水、建渣、機械噪聲 廢氣、廢水、固廢、噪聲 二 公用工程 儲運設施、維修、污水處理站、渣場 廢水、無組織廢氣、固廢、噪聲 四 辦公及生活 設施 本項目定員約 人。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 17 、工藝流程及產(chǎn)污分析 工藝技術方案 目前國際上多晶硅生產(chǎn)工藝有 70%以上均采用改良西門子法，如：德國WACKER 公司、美國 HSC 公司、日本德山、三菱、住友公司、意大利 MEMC公司、國內(nèi)的洛陽中硅集團、峨嵋半導體材料廠以及新光硅業(yè)科技公司的 1260噸 /年多 晶硅裝置等的生產(chǎn)工藝均屬此類，均經(jīng)由三氯氫硅的氫還原反應獲得多晶硅產(chǎn)品。與經(jīng)由三氯氫硅反應的改良西門子法相比，該方法對生產(chǎn)的安全性要求及總生產(chǎn)成本均更高，故此法采用不多，其技術的改進和提高還在研究中。如：德山曹達的熔融析出法（ VLD 工藝），采用筒狀反應爐，析出液體狀硅；瓦克的沸騰床法，采用 FBR 型反應器，生成粒狀硅等等，但這些工藝均尚處于研究或試驗階段。故本項目 1500 噸 /年電路級多晶硅裝置采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅。國內(nèi)技術整體上還不很成熟，原料和公用工程（電等）消耗較高，但軟件費用低；俄羅斯 技術，原料和公用工程消耗比國內(nèi)技術略低，在國內(nèi)已有在建裝置；美國公司的生產(chǎn)技術先進，也較為成熟，消耗比國內(nèi)技術低，但軟件費用相當昂貴，而且還有出口限制等問題。本可研，暫按引進 技術結(jié)合國內(nèi) 技術考慮。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 同時，生成硅的高氯化物的副反應，生成 SinCl2n+2系的聚氯硅烷及 SinHmCl(2n+2)m類型的衍生物。 樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 該工藝可以保證制備高純的用于多晶硅生產(chǎn)的三氯氫硅和四氯化硅（用于氫化）。 還原尾氣干法分離工序 還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 H C lS iH ClHS iCl ??? 324 氫化氣干法分離工序 從四氯化硅氫化工序來的氫化氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。 硅芯制備工序 硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對硅芯進行干燥。 簡本 國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心 20 產(chǎn)品整理工序 用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅 塊進行干燥。 含有 NaCl、 Na2SiO3 的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。 水解和中和反應 224423 32532 HC a C lS i OHOHC a OS i H C l ????? 24424 322 C a C lS i OHOHC a OS i C l ???? 224426 3253 HC a C lS i OHOHC a OS i C l ????? 244262 6486 C a C lS i OHOHC a OO C lSi ???? 經(jīng)過規(guī)定時間的處理，用泵從槽底抽出含 H4SiO NaCl H4SiO Na2SiO3的液體，送往工藝廢料處理工序。濾渣（主要為樂山高新區(qū) 3000t/a多晶硅項目 環(huán)境影響報告書 濾液主要為 NaCl 溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。 B．Ⅱ類廢液處理 來自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。